[發(fā)明專利]抗蝕劑用共聚物以及抗蝕劑用組合物

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810272754.0
• 申請日: 2014-06-12
• 公開（公告）號: CN108484822A
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 加藤圭輔;安田敦;安齋龍一;前田晉一
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱化學(xué)株式會社
• 主分類號: C08F220/18
• 分類號: C08F220/18;C08F220/28;C08F220/42;G03F7/023;G03F7/039
• 代理公司: 上海華誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31300
• 代理人: 李曉

本發(fā)明提供一種抗蝕劑用共聚物，使用該抗蝕劑用共聚物時，靈敏度良好，形成的抗蝕劑圖案的形狀良好，抗蝕劑圖案作為掩膜進行干蝕刻時的耐干蝕刻性良好，能夠控制對基板進行干蝕刻加工時形成的圖案的表面粗糙度。該抗蝕劑用共聚物具有基于具有金剛烷環(huán)等的環(huán)烴基、及與該環(huán)烴基鍵合的2個以上氰基的(甲基)丙烯酸酯衍生物的結(jié)構(gòu)單元(1)、具有內(nèi)酯骨架和橋環(huán)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)單元(2)和具有酸離去基團的結(jié)構(gòu)單元(3)。

本申請是基于以下中國專利申請的分案申請：

原案申請日：2014年06月12日

原案申請?zhí)枺?01410260961.6

原案申請名稱：抗蝕劑用共聚物以及抗蝕劑用組合物

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種抗蝕劑用共聚物以及使用該共聚物的抗蝕劑用組合物。

背景技術(shù)

近年來，隨著光刻技術(shù)的進步，在半導(dǎo)體元件和液晶元件等的制造中形成的抗蝕圖案向著微細化發(fā)展。作為微細化的方法，通常是使照射光的波長變短。具體而言，現(xiàn)有技術(shù)中使用的以g線(波長：438nm)、i線(波長：365nm)為代表的紫外線中，進一步使照射光短波化為波長更短的DUV(深紫外光)。

最近，作為DUV光刻，導(dǎo)入了KrF準(zhǔn)分子激光(波長248nm)，為實現(xiàn)進一步短波化，對ArF準(zhǔn)分子激光(波長193nm)以及EUV(波長13.5nm)進行了研究。另外，對其浸沒式光刻技術(shù)也進行了研究。此外，對于與其不同類型的光刻技術(shù)，對電子束光刻技術(shù)也進行了研究。

作為通過DUV光刻技術(shù)或電子束光刻形成抗蝕圖案中所使用的具有極高靈敏度的抗蝕劑組合物，含光敏產(chǎn)酸劑的“化學(xué)增幅型抗蝕劑組合物”得到了改進與發(fā)展。

例如，作為在ArF準(zhǔn)分子激光光刻技術(shù)中使用的化學(xué)增幅型抗蝕劑材料，在波長193nm的光下透明的丙烯酸類聚合物引起了人們的重視。作為該丙烯酸類聚合物，例如，提出了在酯基部分具有金剛烷骨架的(甲基)丙烯酸酯與酯基部分具有內(nèi)酯骨架的(甲基)丙烯酸酯的共聚物(專利文獻1、2等)。

然而，將這種丙烯酸類共聚物作為抗蝕劑用共聚物使用時，形成的抗蝕劑圖案的形狀不一定好，另外，關(guān)于形成后的抗蝕劑圖案的耐干蝕刻性，使用抗蝕劑圖案作為掩模進行干蝕刻時，不能充分地控制進行基板的加工時形成的圖案表面的粗糙度，需要對這種性能進行改善。

另一方面，在專利文獻3中，還示出了具有內(nèi)酯骨架的兩種以上的結(jié)構(gòu)單元中具有氰基的共聚物，另外，在專利文獻4中，示出了具有降冰片烷骨架中具有氰基的結(jié)構(gòu)單元的共聚物，通過使用這些共聚物，可以改善光蝕刻性能。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平10-319595號公報

[專利文獻2]日本特開平10-274852號公報

[專利文獻3]日本特開2007-178621號公報

[專利文獻4]國際公開第2004/067592號

發(fā)明內(nèi)容

[發(fā)明所要解決的技術(shù)問題]

然而，專利文獻3或?qū)＠墨I4中記載的方法中光蝕刻性能并不充分。即，專利文獻3或?qū)＠墨I4中記載的共聚物雖然能夠改善靈敏度和清晰度以及抗蝕劑圖案的形成，但是耐干蝕刻性以及蝕刻后的圖案的表面粗糙度并不充分。特別是隨著近年來微細化的要求，需要將粗糙度控制在1～2nm以下，因此需要進行進一步改善。且提高耐干蝕刻性對于實現(xiàn)抗蝕劑膜的薄膜化來說是重要的。