[發(fā)明專利]顯示裝置及其陣列基板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810272206.8
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN108511461A
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓約白
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/02
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

本發(fā)明提供一種顯示裝置及其陣列基板，所述陣列基板包括呈陣列設(shè)置的多個薄膜晶體管，所述陣列基板包括從下而上依次設(shè)置的襯底、第一金屬層、緩沖層、半導(dǎo)體層、柵絕緣層、第二金屬層、層間介質(zhì)層及第三金屬層，所述第一金屬層用于形成遮光部和第一接地線，所述第一接地線環(huán)繞所述遮光部設(shè)置，所述半導(dǎo)體層用于形成所述薄膜晶體管的有源層，所述半導(dǎo)體層的材質(zhì)為低溫多晶硅。本發(fā)明提出的陣列基板的第一金屬層用于形成遮光部和第一接地線，所述第一接地線環(huán)繞所述遮光部設(shè)置，通過在陣列基板的第一金屬層中形成第一接地線可以在陣列基板制程的前期有效防止ESD，從而避免大量的電荷聚集引起面板邊緣電路炸傷，提高了產(chǎn)品良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示裝置技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示裝置及其陣列基板。

背景技術(shù)

低溫多晶硅面板借著其高分辨率、高遷移率、低功耗等諸多優(yōu)點已成為了目前平板顯示產(chǎn)品中的明星產(chǎn)品，被廣泛應(yīng)用在例如蘋果、三星、華為、小米、魅族等各大手機及平板電腦上，由于低溫多晶硅器件陣列工藝制程復(fù)雜，因此，在制程中更容易引起ESD(靜電)，而大量的電荷聚集會引起面板邊緣電路炸傷，從而造成各種顯顯示不良。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種顯示裝置及其陣列基板，能夠有效防護ESD，提高產(chǎn)品良率。

本發(fā)明提出的具體技術(shù)方案為：提供一種陣列基板，所述陣列基板包括呈陣列設(shè)置的多個薄膜晶體管，所述陣列基板包括從下而上依次設(shè)置的襯底、第一金屬層、緩沖層、半導(dǎo)體層、柵絕緣層、第二金屬層、層間介質(zhì)層及第三金屬層，所述第一金屬層用于形成遮光部和第一接地線，所述第一接地線環(huán)繞所述遮光部設(shè)置，所述半導(dǎo)體層用于形成所述薄膜晶體管的有源層，所述半導(dǎo)體層的材質(zhì)為低溫多晶硅。

進一步地，所述第三金屬層用于形成第二金屬線及所述薄膜晶體管的源極和漏極，所述第二金屬線環(huán)繞所述源極和所述漏極設(shè)置。

進一步地，所述第一接地線與所述第二接地線通過第一過孔連接。

進一步地，所述薄膜晶體管的源極通過第二過孔與所述有源層連接，所述薄膜晶體管的漏極通過第三過孔與所述有源層連接。

進一步地，所述第一金屬層的材質(zhì)為金屬。

進一步地，所述柵絕緣層的材質(zhì)為氧化硅或者氮化硅。

進一步地，還包括設(shè)置于所述第三金屬層上的平坦層。

進一步地，還包括透明電極層，所述透明電極層設(shè)置于所述平坦層上。

本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如上任一所述的陣列基板。

本發(fā)明提出的陣列基板包括從下而上依次設(shè)置的襯底、第一金屬層、緩沖層、半導(dǎo)體層、柵絕緣層、第二金屬層、層間介質(zhì)層及第三金屬層，所述第一金屬層用于形成遮光部和第一接地線，所述第一接地線環(huán)繞所述遮光部設(shè)置，通過在陣列基板的第一金屬層中形成第一接地線可以在陣列基板制程的前期有效防止ESD，從而避免大量的電荷聚集引起面板邊緣電路炸傷，提高了產(chǎn)品良率。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

圖1為顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為陣列基板的另一結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式