[發(fā)明專利]顯示裝置及其陣列基板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810272206.8
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN108511461A
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發(fā)明（設計）人: 韓約白
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/02
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

1.一種陣列基板，其特征在于，包括呈陣列設置的多個薄膜晶體管，所述陣列基板包括從下而上依次設置的襯底、第一金屬層、緩沖層、半導體層、柵絕緣層、第二金屬層、層間介質層及第三金屬層，所述第一金屬層用于形成遮光部和第一接地線，所述第一接地線環(huán)繞所述遮光部設置，所述半導體層用于形成所述薄膜晶體管的有源層，所述半導體層的材質為低溫多晶硅。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第三金屬層用于形成第二金屬線及所述薄膜晶體管的源極和漏極，所述第二金屬線環(huán)繞所述源極和所述漏極設置。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一接地線與所述第二接地線通過第一過孔連接。

4.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的源極通過第二過孔與所述有源層連接，所述薄膜晶體管的漏極通過第三過孔與所述有源層連接。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一金屬層的材質為鉬。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層的材質為氧化硅或者氮化硅。

7.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括設置于所述第三金屬層上的平坦層。

8.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括透明電極層，所述透明電極層設置于所述平坦層上。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-8任一所述的陣列基板。