[發(fā)明專利]多重圖案化方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810271979.4
• 申請(qǐng)日: 2018-03-29
• 公開（公告）號(hào): CN109326521B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范振豊;陳志壕;陳文彥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/3213
• 分類號(hào): H01L21/3213;H01L21/311
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

描述了半導(dǎo)體工藝中用于圖案化的方法。形成其中具有切口的偽層。在偽層上方形成第一犧牲層，并且第一犧牲層的至少部分設(shè)置在切口中。在第一犧牲層上方形成第二犧牲層。將第二犧牲層圖案化為具有第一圖案。使用第二犧牲層的第一圖案，將第一犧牲層圖案化為具有第一圖案。去除第二犧牲層。之后，包括改變第一犧牲層的第一圖案的尺寸來在第一犧牲層中形成第二圖案。使用第一犧牲層的第二圖案，圖案化偽層。沿著圖案化的偽層的相應(yīng)的側(cè)壁形成掩模部分。使用掩模部分形成掩模。本發(fā)明的實(shí)施例還涉及多重圖案化方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例涉及多重圖案化方法。

背景技術(shù)

雙重圖案化是開發(fā)用于光刻以增強(qiáng)集成電路中部件密度的技術(shù)。通常，光刻技術(shù)用于在晶圓上形成集成電路的部件。光刻技術(shù)涉及應(yīng)用光刻膠，并且在光刻膠中限定圖案。首先在光刻掩模中限定光刻膠中的圖案，并且通過光刻掩模的透明部分或不透明部分實(shí)施。通過使用光刻掩模的曝光將光刻掩模中的圖案轉(zhuǎn)移至光刻膠，隨后顯影光刻膠。之后，將圖案化的光刻膠中的圖案轉(zhuǎn)移至形成在晶圓上的制造的部件。

已經(jīng)創(chuàng)建了實(shí)現(xiàn)雙重或多重圖案化的各種技術(shù)。一種技術(shù)是光刻-蝕刻-光刻-蝕刻(LELE)技術(shù)。在LELE技術(shù)中，通常將圖案分為多個(gè)部分，以使用多個(gè)相應(yīng)的光刻以及隨后的蝕刻步驟來實(shí)現(xiàn)。另一技術(shù)是自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。在自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)中，通常通過形成芯軸并且在芯軸的側(cè)壁上形成間隔件來形成圖案，其中，間隔件是將在下面的襯底中形成的圖案。在這些技術(shù)中，目標(biāo)是減小相鄰部件之間的寬度，從而增加密度。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種多重圖案化方法，包括：在襯底上方形成偽層，所述偽層中具有切口；在所述偽層上方形成第一犧牲層，所述第一犧牲層的至少部分設(shè)置在所述切口中；在所述第一犧牲層上方形成第二犧牲層；將所述第二犧牲層圖案化為具有第一圖案；使用所述第二犧牲層的所述第一圖案，將所述第一犧牲層圖案化為具有所述第一圖案；去除所述第二犧牲層；在去除所述第二犧牲層之后，包括改變所述第一犧牲層的所述第一圖案的尺寸來在所述第一犧牲層中形成第二圖案；使用所述第一犧牲層的所述第二圖案，圖案化所述偽層；沿著圖案化的偽層的相應(yīng)的側(cè)壁形成掩模部分；以及使用所述掩模部分形成掩模，并且所述掩模將在蝕刻所述襯底的層期間使用。

本發(fā)明的另一實(shí)施例提供了一種自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化方法，包括：在介電層上方形成偽層，所述偽層中具有切口，所述介電層位于襯底上方；在所述偽層上方形成第一犧牲層，所述第一犧牲層的至少部分設(shè)置在所述切口中；在所述第一犧牲層上方形成圖案化的第二犧牲層；使用圖案化的第二犧牲層，圖案化所述第一犧牲層；包括蝕刻所述圖案化的第二犧牲層去除所述圖案化的第二犧牲層，蝕刻所述圖案化的第二犧牲層在所述圖案化的第二犧牲層與所述第一犧牲層之間具有大于10的第一蝕刻選擇性比率，蝕刻所述圖案化的第二犧牲層在所述圖案化的第二犧牲層與位于所述偽層下面并且接觸所述偽層的層之間具有大于2的第二蝕刻選擇性比率；在去除所述圖案化的第二犧牲層之后，減小圖案化的第一犧牲層的部分的相應(yīng)的橫向尺寸；在減小所述相應(yīng)的橫向尺寸之后，使用所述圖案化的第一犧牲層來圖案化所述偽層；沿著圖案化的偽層的相應(yīng)的側(cè)壁形成掩模部分；以及使用所述掩模部分形成掩模，所述掩模將在所述介電層的蝕刻期間使用。