[發明專利]多重圖案化方法

有效

• 申請號: 201810271979.4
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN109326521B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 范振豊;陳志壕;陳文彥
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/311
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種多重圖案化方法，包括：

在襯底上方形成偽層，所述偽層中具有切口；

在所述偽層上方形成第一犧牲層，所述第一犧牲層的至少部分設置在所述切口中；

在所述第一犧牲層上方形成第二犧牲層；

將所述第二犧牲層圖案化為具有第一圖案；

使用所述第二犧牲層的所述第一圖案，將所述第一犧牲層圖案化為具有所述第一圖案；

去除所述第二犧牲層；

在去除所述第二犧牲層之后，包括改變所述第一犧牲層的所述第一圖案的尺寸來在所述第一犧牲層中形成第二圖案；

使用所述第一犧牲層的所述第二圖案，圖案化所述偽層；

沿著圖案化的偽層的相應的側壁形成掩模部分；以及

使用所述掩模部分形成掩模，并且所述掩模將在蝕刻所述襯底的層期間使用。

2.根據權利要求1所述的多重圖案化方法，還包括：

在所述襯底的層上方形成至少一個掩模層，所述偽層形成在所述至少一個掩模層上方；

使用所述掩模部分由所述至少一個掩模層形成所述掩模；以及

使用所述掩模蝕刻所述襯底的層。

3.根據權利要求1所述的多重圖案化方法，其中，改變所述第一犧牲層的所述第一圖案的尺寸包括增加所述第一犧牲層的相鄰部分之間的橫向間隔和減小所述第一犧牲層的至少一個部分的橫向尺寸。

4.根據權利要求1所述的多重圖案化方法，其中，改變所述第一犧牲層的所述第一圖案的尺寸包括實施各向同性蝕刻。

5.根據權利要求1所述的多重圖案化方法，其中，沿著所述圖案化的偽層的相應的側壁形成所述掩模部分包括：

沿著所述圖案化的偽層共形地沉積間隔件層；以及

各向異性蝕刻所述間隔件層。

6.根據權利要求1所述的多重圖案化方法，其中，去除所述第二犧牲層包括蝕刻所述第二犧牲層，所述蝕刻在所述第二犧牲層與所述第一犧牲層之間具有大于10的蝕刻選擇性比率。

7.根據權利要求1所述的多重圖案化方法，其中，去除所述第二犧牲層包括蝕刻所述第二犧牲層，所述蝕刻在所述第二犧牲層與位于所述偽層下面并且接觸所述偽層的層之間具有大于2的蝕刻選擇性比率。

8.根據權利要求1所述的多重圖案化方法，其中：

所述第一犧牲層是氧化物材料的層，所述氧化物材料是聚合物；

所述第二犧牲層是SiOC層；

位于所述偽層下面并且接觸所述偽層的層是正硅酸乙酯(TEOS)層；以及

去除所述第二犧牲層包括使用N₂:Ar:H₂:CF₄:CHF₃的流量比率在20標準立方厘米每分鐘(sccm)至100標準立方厘米每分鐘:10標準立方厘米每分鐘至100標準立方厘米每分鐘:70標準立方厘米每分鐘至200標準立方厘米每分鐘:30標準立方厘米每分鐘至150標準立方厘米每分鐘:5標準立方厘米每分鐘至80標準立方厘米每分鐘的范圍內的N₂氣、Ar氣、H₂氣、CF₄氣體和CHF₃氣體的組合蝕刻所述第二犧牲層。

9.根據權利要求1所述的多重圖案化方法，還包括：

使用所述掩模蝕刻所述襯底的層以形成至少凹槽；

在所述至少凹槽中形成相應的導線，所述導線的至少一個橫越對應于所述偽層中的所述切口的區域，所述導線的至少一個在所述區域處不連續。