[發明專利]晶片粘結結構在審
| 申請號: | 201810271274.2 | 申請日: | 2018-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN108321109A | 公開(公告)日: | 2018-07-24 |
| 發明(設計)人: | 陸海鋒 | 申請(專利權)人: | 德清晶生光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/68 |
| 代理公司: | 杭州豐禾專利事務所有限公司 33214 | 代理人: | 王曉峰 |
| 地址: | 313216 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 定位組件 晶片 粘結結構 安裝座 傾斜端面 傾斜向下 傾斜端 低側 晶片加工設備 定位效果 技術設計 晶片放置 倚靠 上端 種晶 垂直 | ||
本發明提供了一種晶片粘結結構屬于晶片加工設備技術領域。它解決了現有技術設計不合理等問題。本晶片粘結結構包括安裝座,安裝座上端設有呈傾斜向下設置的傾斜端面,傾斜端面相對低側設有垂直于該傾斜端面的用于將若干大小、形狀相同的晶片的第一側定位的第一定位組件,安裝座上還設有用于將與晶片的第一側相鄰的第二側定位的第二定位組件。本晶片粘結結構的優點在于:通過第一定位組件和第二定位組件將晶片相鄰的兩側定位,并且由于該第一定位組件和第二定位組件的位于呈傾斜向下設置的傾斜端面的低側,晶片放置時可以靠自身的重力倚靠在第一定位組件上,進一步提高了定位效果。
技術領域
本發明屬于晶片加工設備技術領域,尤其是涉及一種晶片粘結結構。
背景技術
水晶初坯的制成方法,就是將一片片形狀相同的水晶薄片完全重合的上下疊合并粘結呈一個柱狀體,然后用不同的切割機和研磨機進行切割和研磨,從而加工出需要的成型件。現有水晶薄片粘結時完全根據操作員的個人經驗來校正操作,沒有任何輔助器械,存在疊合操作時不能達到完全疊合,制成的水晶初坯各側面不平整,從而妨礙了對水晶初坯的深加工。
發明內容
本發明的目的是針對上述問題,提供一種設計合理,解決了粘片時不能很好的將多塊相同大小、形狀的薄晶片疊合在一起的問題的晶片粘結結構。
為達到上述目的,本發明采用了下列技術方案:本發明的晶片粘結結構包括安裝座,其特征在于:安裝座上端設有呈傾斜向下設置的傾斜端面,傾斜端面相對低側設有垂直于該傾斜端面的用于將若干大小、形狀相同的晶片的第一側定位的第一定位組件,安裝座上還設有用于將與晶片的第一側相鄰的第二側定位的第二定位組件。通過第一定位組件和第二定位組件將晶片相鄰的兩側定位,并且由于該第一定位組件和第二定位組件的位于呈傾斜向下設置的傾斜端面的低側,晶片放置時可以靠自身的重力倚靠在第一定位組件上,進一步提高了定位效果。
優選地,第一定位組件包括至少一塊定位板,定位板與傾斜端面相交處與水平面的夾角和傾斜端面與水平面的夾角相同;第二定位組件包括至少一根彎形定位桿,彎形定位桿包括用于插設于位于安裝座的定位桿插孔內的插設部和用于定位晶片第二側的定位部。定位板沿平行于傾斜端面縱向方向的設置使晶片在定位時便于快速檢測其第一側是否與定位板垂直設置,從而方便了晶片第一側的快速定位,也便于接下來的晶片的第二側的定位,同時結構簡單、便于制造和安裝。
優選地,定位板有兩塊為并行且呈間隔設置。提高了晶片放置時的平穩性,同時有利于晶片粘結時的滴落的粘結劑從兩塊定位板之間流落。
優選地,安裝座上的傾斜端面上開設有一對用于設置定位板的滑動槽,每滑動槽貫穿于傾斜端面上的相對高、低兩側。便于定位板的位置調整。
優選地,每滑動槽上各設有一個大小、形狀相同的滑動塊,每定位板對應設于一個滑動塊上,滑動塊和安裝座上設有若干相匹配的滑動塊定位孔。便于定位板的位置固定。
優選地,定位板設于滑動塊相對低端上;滑動塊的橫截面的上部凸出于滑動槽開口處、橫截面的下部的大小、形狀與滑動槽相適配。這樣兩個滑動塊的橫截面的上部組成了一條通道,進一步便于晶片粘結時的滴落的粘結劑從兩塊定位板之間流落。
優選地,第一定位組件還包括與定位板上的用于抵靠晶片的一側相靠接的校正板,校正板與定位板呈垂直設置。進一步提高了晶片第一側放置時的平穩性。
優選地,校正板由透明材質制成。便于檢測晶片第一側與第一定位組件之間位置是否到位。
優選地,彎形定位桿上的定位部向外彎折形成一個供操作人員握持的把手部,把手部,再向內彎折與插設部連接。便于操作,方便了操作人員對晶片第二側的定位。
優選地,定位桿插孔為貫穿安裝座的通孔,彎形定位桿上的插設部兩端上各設有若干供定位螺母螺接的螺紋。提高了對彎形定位桿的位置調整能力。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





