[發明專利]量子點發光二極管、其制備方法及顯示器件

在審

• 申請號: 201810270120.1
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN110212102A
• 公開（公告）日: 2019-09-06
• 發明（設計）人: 尤娟娟
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;蔡麗

本發明涉及顯示領域，特別涉及量子點發光二極管、其制備方法及顯示器件。所述量子點發光二極管的量子點發光層靠近空穴傳輸層的一側設置有電子傳輸材料形成的第一電子傳輸層；和/或所述量子點發光二極管的量子點發光層內摻雜有電子傳輸材料。由于在空穴傳輸層一側添加了電子傳輸材料，空穴無需注入到量子點發光層中，而是在電子傳輸層與空穴傳輸層之間或者空穴傳輸層與量子點發光層之間，與電子復合形成激基復合物，所述激基復合物將能量傳導至量子點發光層，從而避開了從空穴傳輸層到量子點發光層的注入勢壘，增強了空穴的注入；同時增加了電子注入的勢壘，減少了電子注入的個數，因此載流子注入更為平衡。

技術領域

本發明涉及顯示領域，特別涉及量子點發光二極管、其制備方法及顯示器件。

背景技術

量子點發光二極管(QLED)由于其色純度高、量子效率高、發光顏色可調等優點成為下一代顯示技術的熱門研究方向。

QLED的結構一般包括陰極、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極。QLED的器件結構比較特殊，原因是量子點(QD)材料的能級結構與傳統的有機電致發光(OLED)材料以及ITO電極不太匹配，QD的電離勢通常較大，一般超過6.0eV，藍色和綠色的QD材料的電離勢甚至超過6.5eV，而ITO電極的功函數只有4.7eV，傳統的空穴傳輸材料的電離勢小于5.5eV，因此從空穴傳輸材料到QD發光層的空穴注入比較困難；相反的，QD材料的電子親和能通常在4.0eV左右，與之搭配的電子傳輸層ZnO的電子親和能也是4.0eV，因此很容易實現電子的注入和傳輸，這樣就導致QLED中空穴和電子的不平衡。

為解決以上問題，在現有技術中通常采用多層的空穴傳輸層，將較大的空穴注入勢壘分解成多個較小的空穴注入勢壘，從而改善空穴的注入，或者同時在電子傳輸和QD發光層中間插入一層超薄的絕緣層，減少電子的注入，從而達到載流子注入平衡的目的。但使用這種方法會造成器件的電壓較高，另外，電子會聚集在空穴傳輸層和QD發光層的界面處，多余的電子容易導致激子(exciton)的猝滅，降低器件的性能。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：提供一種量子點發光二極管及其制備方法、顯示器件，該量子點發光二極管通過在界面處形成激基復合物，并由激基復合物將能量傳遞給量子點發光，減少了空穴由空穴傳輸層至量子點發光層的注入勢壘，載流子注入更平衡，綜合性能好。

本發明提供了一種量子點發光二極管，所述量子點發光二極管的量子點發光層靠近空穴傳輸層的一側設置有電子傳輸材料形成的第一電子傳輸層；和/或

所述量子點發光二極管的量子點發光層內摻雜有電子傳輸材料。

優選地，

所述空穴傳輸層的材料的HOMO能級與所述電子傳輸材料的HOMO能級之差為0.4eV以上；或者

所述空穴傳輸層的材料的LUMO能級與所述電子傳輸材料的LUMO能級之差為0.4eV以上。

優選地，所述第一電子傳輸層的厚度小于等于3nm。

優選地，所述空穴傳輸層的材料為聚[雙(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚乙烯基咔唑、4,4'-雙(N-咔唑)-1,1'-聯苯、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、1,3-二-9-咔唑基苯中的一種或者幾種的組合。

優選地，所述電子傳輸材料為4,6-雙(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶或者(1,3,5-三嗪-2,4,6-取代)三(苯-3,1-取代))三(二苯基磷氧)。