[發(fā)明專利]量子點發(fā)光二極管、其制備方法及顯示器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810270120.1
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN110212102A
• 公開（公告）日: 2019-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 尤娟娟
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;蔡麗

1.一種量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述量子點發(fā)光二極管的量子點發(fā)光層靠近空穴傳輸層的一側(cè)設(shè)置有電子傳輸材料形成的第一電子傳輸層；和/或

所述量子點發(fā)光二極管的量子點發(fā)光層內(nèi)摻雜有電子傳輸材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料的HOMO能級與所述電子傳輸材料的HOMO能級之差為0.4eV以上；或者

所述空穴傳輸層的材料的LUMO能級與所述電子傳輸材料的LUMO能級之差為0.4eV以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一電子傳輸層的厚度小于等于3nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料為聚[雙(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚乙烯基咔唑、4,4'-雙(N-咔唑)-1,1'-聯(lián)苯、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、1,3-二-9-咔唑基苯中的一種或者幾種的組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述電子傳輸材料為4,6-雙(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶或者(1,3,5-三嗪-2,4,6-取代)三(苯-3,1-取代))三(二苯基磷氧)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述量子點發(fā)光層的材料為IIB族元素與VA族元素形成的化合物、至少兩種所述IIB族元素與VA族元素形成的化合物構(gòu)成的組合物、IIIB族元素與VA族元素形成的化合物、至少兩種所述IIIB族元素與VA族元素形成的化合物構(gòu)成的核殼結(jié)構(gòu)組合物、IVB族元素化合物與VIA族元素形成化合物、或者至少兩種所述IVB族元素化合物與VIA族元素形成的化合物構(gòu)成的核殼結(jié)構(gòu)組合物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，包括疊層設(shè)置的陽極、空穴注入層、所述空穴傳輸層、所述第一電子傳輸層、所述量子點發(fā)光層、第二電子傳輸層和陰極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，包括疊層設(shè)置的陽極、空穴注入層、所述空穴傳輸層、所述量子點發(fā)光層、第二電子傳輸層和陰極。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二電子傳輸層的材料包括ZnO、TiO₂、AlZnO、ZnSnO、和InSnO中的至少一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述空穴傳輸層包括由第一空穴傳輸材料構(gòu)成的第一子空穴傳輸層和由第二空穴傳輸材料構(gòu)成的第二子空穴傳輸層，所述第二子空穴傳輸層設(shè)置在所述第一子空穴傳輸層靠近所述量子點發(fā)光層的一側(cè)；

所述第二子空穴傳輸材料的HOMO能級小于所述第一子空穴傳輸材料的HOMO能級。

11.一種量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在所述量子點發(fā)光二極管的空穴傳輸層上形成第一電子傳輸層；

在所述第一電子傳輸層上形成量子點發(fā)光層；和/或

在所述量子點發(fā)光二極管的空穴傳輸層上形成量子點發(fā)光層，所述量子點發(fā)光層內(nèi)包括量子點和摻雜的電子傳輸材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述空穴傳輸層包括相接觸的第一子空穴傳輸層和第二子空穴傳輸層，所述制備方法具體包括：

在所述第二子空穴傳輸層遠離所述第一子空穴傳輸層的一側(cè)形成第一電子傳輸層；或者

在所述第二子空穴傳輸層遠離所述第一子空穴傳輸層的一側(cè)形成所述量子點發(fā)光層。

13.一種顯示器件，包括權(quán)利要求1～9中任意一項所述的量子點發(fā)光二極管。