[發(fā)明專利]一種陣列基板、顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810269512.6
• 申請(qǐng)日: 2018-03-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108493194B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張鵬曲;劉琨;董廷澤;李曉東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 解婷婷;曲鵬

本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板、顯示面板。陣列基板包括依次設(shè)置的第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層和第二絕緣層，還包括暴露第一金屬層的第一過(guò)孔和暴露第二金屬層的第二過(guò)孔，還包括與第二金屬層同層設(shè)置的輔助金屬塊和暴露輔助金屬塊的輔助過(guò)孔，第一過(guò)孔、第二過(guò)孔和輔助過(guò)孔采用一次刻蝕工藝形成。當(dāng)刻蝕第二絕緣層后，在形成第一過(guò)孔而刻蝕第一絕緣層的過(guò)程中，第二過(guò)孔和輔助過(guò)孔暴露出的金屬的刻蝕面積之和大于第二過(guò)孔暴露出的金屬的刻蝕面積，增加了對(duì)第二金屬層的刻蝕負(fù)載，降低了第二過(guò)孔處的第二金屬層的刻蝕速率，降低了第二過(guò)孔的過(guò)刻，避免了集成電路與數(shù)據(jù)線的接觸電阻增大，提高了顯示面板的產(chǎn)品良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板、顯示面板。

背景技術(shù)

目前，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay， TFT-LCD)已經(jīng)替代了CRT顯示器，成為平板顯示器的主流產(chǎn)品。薄膜晶體管作為信號(hào)寫(xiě)入的開(kāi)關(guān)，是TFT-LCD中廣泛存在并不可或缺的器件。通過(guò)控制液晶電容兩端的電壓，可以驅(qū)動(dòng)液晶偏轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)顯示的目的。現(xiàn)有的TFT-LCD通常采用底柵型TFT結(jié)構(gòu)，其中，柵極(Gate)連接至掃描線(Scan Line)，源極(Source)連接至數(shù)據(jù)線(Data Line)上，漏極(Drain)連接至像素電極(Pixel electrode)。像素兩端的電極通常通過(guò)過(guò)孔連接到柵線和漏極以產(chǎn)生壓差，而且顯示器的周邊走線也需要通過(guò)過(guò)孔實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的傳輸，因此，過(guò)孔在信號(hào)傳輸過(guò)程中起到至關(guān)重要的作用。所以，在顯示器的制作過(guò)程中，需要嚴(yán)格控制過(guò)孔的大小、形貌等。

然而，現(xiàn)有技術(shù)中，在采用刻蝕工藝形成暴露漏極的過(guò)孔時(shí)，經(jīng)常出現(xiàn)過(guò)刻問(wèn)題，從而降低了過(guò)孔的良率，導(dǎo)致顯示面板顯示不良，降低了顯示面板的產(chǎn)品良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例的目的是，提供一種陣列基板、顯示面板，以降低刻蝕速率，降低過(guò)孔過(guò)刻。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括依次設(shè)置在基底上的第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層和第二絕緣層，還包括暴露第一金屬層的第一過(guò)孔和暴露第二金屬層的第二過(guò)孔，所述陣列基板還包括與所述第二金屬層同層設(shè)置的輔助金屬塊和暴露所述輔助金屬塊的輔助過(guò)孔，所述第一過(guò)孔、第二過(guò)孔和輔助過(guò)孔采用一次刻蝕工藝形成。

可選地，所述輔助金屬塊設(shè)置在陣列基板非顯示區(qū)的空白區(qū)內(nèi)。

可選地，所述輔助金屬塊與所述第二金屬層通過(guò)依次構(gòu)圖工藝形成。

可選地，采用干法刻蝕工藝形成所述第一過(guò)孔、第二過(guò)孔和輔助過(guò)孔。

可選地，所述輔助金屬塊的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)所述輔助金屬塊呈矩陣式排布。

可選地，每個(gè)輔助金屬塊上至少設(shè)置一個(gè)所述輔助過(guò)孔。

可選地，所述輔助金屬塊的形狀呈矩形、圓形、橢圓形或梯形。

可選地，所述輔助過(guò)孔的橫截面呈圓形、梯形、橢圓形或矩形。

可選地，第一金屬層包括位于集成電路綁定區(qū)的掃描線，第二金屬層包括位于集成電路綁定區(qū)的數(shù)據(jù)線，每條掃描線上設(shè)置有多個(gè)并列排布的第一過(guò)孔，每條數(shù)據(jù)線上設(shè)置有多個(gè)并列排布的第二過(guò)孔。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括以上所述的陣列基板。