[發(fā)明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810265798.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-03-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108336099B | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王偉;詹志鋒;王研鑫;楊恕權(quán);石佳凡;黃鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明公開一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,所述顯示基板包括引線彎折區(qū);在所述引線彎折區(qū),所述顯示基板包括基底及層疊設(shè)置在所述基底上的無機(jī)絕緣層和金屬層;其中,所述金屬層包括多條分立的金屬引線,所述金屬引線在所述基底上的正投影覆蓋所述無機(jī)絕緣層在所述基底上的正投影。在顯示基板的引線彎折區(qū),分立的金屬引線在基底上的正投影覆蓋無機(jī)絕緣層在基底上的正投影,金屬引線在靠近基底的一側(cè)的正下方具有無機(jī)絕緣層,而在金屬引線區(qū)域外不具有無機(jī)絕緣層,這樣,阻斷了金屬引線斷裂的裂紋沿?zé)o機(jī)絕緣層擴(kuò)展的路徑,有效的避免了裂紋蔓延導(dǎo)致更多金屬引線斷裂的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
隨著全屏無邊框技術(shù)的發(fā)展,顯示面板的各個(gè)邊框越來越窄,通常采用引線彎折(Pad Bending)技術(shù)將顯示面板的非顯示部分彎折到顯示面板的背面,實(shí)現(xiàn)顯示面板的窄邊框,但是由于彎折角度較大,在彎折過程中,在引線彎折區(qū)容易引發(fā)引線斷,裂紋會(huì)沿引線層下方區(qū)域向其他引線端蔓延,導(dǎo)致更多引線斷裂,引起顯示不良。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種顯示基板及制備方法、顯示裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)中引線彎折區(qū)的裂紋易蔓延的問題。
第一方面,本發(fā)明提供一種顯示基板,包括引線彎折區(qū);
在所述引線彎折區(qū),所述顯示基板包括基底及層疊設(shè)置在所述基底上的無機(jī)絕緣層和金屬層;
其中,所述金屬層包括多條分立的金屬引線,所述金屬引線在所述基底上的正投影覆蓋所述無機(jī)絕緣層在所述基底上的正投影。
可選地,所述基底為柔性基底。
可選地,所述基底的材質(zhì)包括:聚酰亞胺、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚碳酸酯、乙酸丙酸纖維素中的至少一種。
可選地,所述無機(jī)絕緣層的厚度為
可選地,所述無機(jī)絕緣層的材質(zhì)包括:氧化硅、氮化硅、當(dāng)氧化硅中的至少一種。
第二方面,本發(fā)明還提供了一種顯示基板的制備方法,包括:
在引線彎折區(qū)的基底上依次形成無機(jī)絕緣層和金屬層;
采用第一掩膜版,通過構(gòu)圖工藝在金屬層形成多條分立的金屬引線;
去除引線彎折區(qū)內(nèi)金屬引線區(qū)域外的無機(jī)絕緣層。
可選地,所述去除引線彎折區(qū)內(nèi)金屬引線區(qū)域外的無機(jī)絕緣層,包括:
采用第二掩膜版,通過構(gòu)圖工藝去除引線彎折區(qū)內(nèi)金屬引線區(qū)域外的無機(jī)絕緣層。
可選地,所述采用第一掩膜版,通過構(gòu)圖工藝在金屬層形成多條分立的金屬引線,包括:
采用第一掩膜版對(duì)金屬層利用第一刻蝕工藝,刻蝕形成多條分立的金屬引線;
所述去除引線彎折區(qū)內(nèi)金屬引線區(qū)域外的無機(jī)絕緣層,包括:
利用第二刻蝕工藝,刻蝕去除引線彎折區(qū)內(nèi)金屬引線區(qū)域外的無機(jī)絕緣層。
可選地,所述在引線彎折區(qū)的基底上依次形成無機(jī)絕緣層和金屬層,包括:
提供基底;
在基底上形成多層絕緣層;
對(duì)引線彎折區(qū)的多層絕緣層進(jìn)行圖案化處理,形成所述無機(jī)絕緣層;
形成金屬層。
可選地,所述在基底上形成多層絕緣層,包括:
在基底上依次形成緩沖層、第一絕緣層、第二絕緣層、層間絕緣層;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司,未經(jīng)京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810265798.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 一種數(shù)據(jù)庫讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





