[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201810265798.0 | 申請日: | 2018-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN108336099B | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發明(設計)人: | 王偉;詹志鋒;王研鑫;楊恕權;石佳凡;黃鵬 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括引線彎折區;
在所述引線彎折區,所述顯示基板包括基底及層疊設置在所述基底上的無機絕緣層和金屬層;
其中,所述金屬層包括多條分立的金屬引線,所述金屬引線在所述基底上的正投影覆蓋所述無機絕緣層在所述基底上的正投影;其中,所述金屬引線在靠近基底的一側的正下方具有無機絕緣層;
其中,在所述引線彎折區之外,所述多條分立的金屬引線之間具有無機絕緣層;所述金屬引線的上方還具有有機絕緣層;其中,所述金屬引線的一端被有機絕緣層完全覆蓋,另一端被有機絕緣層部分覆蓋。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述基底為柔性基底。
3.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述基底的材質包括:聚酰亞胺、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚碳酸酯、乙酸丙酸纖維素中的至少一種。
4.根據權利要求1至3任一項所述的顯示基板,其特征在于,所述無機絕緣層的厚度為
5.根據權利要求1至3任一項所述的顯示基板,其特征在于,所述無機絕緣層的材質包括:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一種。
6.一種顯示基板的制備方法,其特征在于,包括:
在引線彎折區的基底上依次形成無機絕緣層和金屬層;
采用第一掩膜版,通過構圖工藝在金屬層形成多條分立的金屬引線;其中,所述金屬引線在所述基底上的正投影覆蓋所述無機絕緣層在所述基底上的正投影;其中,所述金屬引線在靠近基底的一側的正下方具有無機絕緣層;
去除引線彎折區內金屬引線區域外的無機絕緣層;
其中,在所述引線彎折區之外,所述多條分立的金屬引線之間具有無機絕緣層;所述金屬引線的上方還具有有機絕緣層;其中,所述金屬引線的一端被有機絕緣層完全覆蓋,另一端被有機絕緣層部分覆蓋。
7.根據權利要求6所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述去除引線彎折區內金屬引線區域外的無機絕緣層,包括:
采用第二掩膜版,通過構圖工藝去除引線彎折區內金屬引線區域外的無機絕緣層。
8.根據權利要求6所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述采用第一掩膜版,通過構圖工藝在金屬層形成多條分立的金屬引線,包括:
采用第一掩膜版對金屬層利用第一刻蝕工藝,刻蝕形成多條分立的金屬引線;
所述去除引線彎折區內金屬引線區域外的無機絕緣層,包括:
利用第二刻蝕工藝,刻蝕去除引線彎折區內金屬引線區域外的無機絕緣層。
9.根據權利要求6所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述在引線彎折區的基底上依次形成無機絕緣層和金屬層,包括:
提供基底;
在基底上形成多層絕緣層;
對引線彎折區的多層絕緣層進行圖案化處理,形成所述無機絕緣層;
形成金屬層。
10.根據權利要求9所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述在基底上形成多層絕緣層,包括:
在基底上依次形成緩沖層、第一絕緣層、第二絕緣層、層間絕緣層;
所述對引線彎折區的多層絕緣層進行圖案化處理,形成所述無機絕緣層,包括:
刻蝕去除引線彎折區的層間絕緣層、第二絕緣層和第一絕緣層;
對引線彎折區的緩沖層進行部分刻蝕,形成所述無機絕緣層。
11.根據權利要求9所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述基底為柔性基底。
12.根據權利要求11所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述基底的材質包括:聚酰亞胺、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚碳酸酯、乙酸丙酸纖維素中的至少一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





