[發明專利]用于暴露到極紫外光的護膜以及光刻系統

有效

• 申請號: 201810264409.2
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN108663898B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發明（設計）人: 全桓徹;金文子;權星元;金熙范;丁昶榮
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G03F1/48
• 分類號: G03F1/48;G03F1/62;G03F1/64;G03F7/20
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

1.一種用于極紫外光曝光的護膜，其特征在于，所述護膜包括：

護膜膜片，包括碳系主層以及硼系增強層，所述碳系主層具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面，所述硼系增強層覆蓋所述第一表面與所述第二表面中的至少一者；以及

框架，貼合到所述護膜膜片，

其中，跨越所述硼系增強層與所述碳系主層之間的界面存在碳濃度的變化。

2.根據權利要求1所述的護膜，其特征在于，所述硼系增強層包含選自元素硼、B₄C、氧化硼及氮化硼中的至少一者。

3.根據權利要求2所述的護膜，其特征在于，所述硼系增強層包括其中由元素硼形成的層與由B₄C形成的層堆疊在一起的結構。

4.根據權利要求3所述的護膜，其特征在于，所述由B₄C形成的層與所述由元素硼形成的層以所述由B₄C形成的層到所述由元素硼形成的層的次序依序堆疊在所述碳系主層上。

5.根據權利要求3所述的護膜，其特征在于，跨越所述由B₄C形成的層與所述由元素硼形成的層之間的界面存在硼濃度的變化，且所述硼濃度在遠離所述碳系主層的中心的方向上增大。

6.根據權利要求1所述的護膜，其特征在于，所述碳濃度在朝向所述碳系主層的方向上增大。

7.根據權利要求2所述的護膜，其特征在于，所述硼系增強層是由B₄C形成的層。

8.根據權利要求1所述的護膜，其特征在于，所述碳系主層包括sp2鍵及sp3鍵，其中所述sp3鍵的數量比所述sp2鍵的數量至少多10倍，或者所述碳系主層只包括sp2鍵。

9.根據權利要求1所述的護膜，其特征在于，所述碳系主層包含石墨烯、石墨或碳納米管。

10.根據權利要求1所述的護膜，其特征在于，所述碳系主層的厚度范圍為10nm到100nm。

11.根據權利要求1所述的護膜，其特征在于，所述硼系增強層的厚度范圍為1nm到10nm。

12.根據權利要求1所述的護膜，其特征在于，所述第二表面面對所述框架，且所述硼系增強層只位于所述第一表面上。

13.根據權利要求1所述的護膜，其特征在于，所述硼系增強層位于所述第一表面上及所述第二表面上。

14.一種用于極紫外光的護膜，其特征在于，所述護膜包括：

護膜膜片，包括：

碳系主層，所述碳系主層具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面；

氫等離子體耐受性化學增強層，所述氫等離子體耐受性化學增強層覆蓋所述第一表面與所述第二表面中的至少一者；以及

混合層，存在于跨越所述碳系主層與所述氫等離子體耐受性化學增強層之間的界面上，且所述混合層包含源自于所述碳系主層的組分及源自于所述氫等離子體耐受性化學增強層的組分；以及

框架，貼合到所述護膜膜片，

其中，所述氫等離子體耐受性化學增強層包括由硼系材料形成的化學增強層，且由所述硼系材料形成的所述化學增強層包含選自元素硼、B₄C、氧化硼及氮化硼中的至少一者。

15.根據權利要求14所述的護膜，其特征在于，所述氫等離子體耐受性化學增強層包含由硅系材料形成的化學增強層，且由所述硅系材料形成的所述化學增強層包含選自氧化硅、氮化硅及氮氧化硅中的至少一者。