[發(fā)明專利]用于暴露到極紫外光的護(hù)膜以及光刻系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810264409.2 | 申請日: | 2018-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN108663898B | 公開(公告)日: | 2022-07-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 全桓徹;金文子;權(quán)星元;金熙范;丁昶榮 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/48 | 分類號: | G03F1/48;G03F1/62;G03F1/64;G03F7/20 |
| 代理公司: | 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 劉培培;黃隸凡 |
| 地址: | 韓國京畿道水*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 暴露 紫外光 以及 光刻 系統(tǒng) | ||
根據(jù)示例性實(shí)施例,提供一種用于暴露到極紫外光(extreme ultraviolet light,EUVL)的護(hù)膜以及一種光刻系統(tǒng),所述護(hù)膜包括護(hù)膜膜片以及貼合到所述護(hù)膜膜片的框架,其中所述護(hù)膜膜片包括碳系主層以及硼系增強(qiáng)層,所述碳系主層具有彼此相對的第一表面與第二表面,所述硼系增強(qiáng)層覆蓋選自所述第一表面與所述第二表面中的至少一個表面。根據(jù)示例性實(shí)施例的護(hù)膜可在極紫外光曝光環(huán)境中使用較長的時間段。
[相關(guān)申請的交叉參考]
本申請主張在2017年3月28日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提出申請的韓國專利申請第10-2017-0039301號的優(yōu)先權(quán)的權(quán)利,所述韓國專利申請的公開內(nèi)容全文并入本申請供參考。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明概念涉及一種用于極紫外光曝光的護(hù)膜(pellicle)以及一種光刻系統(tǒng)。
背景技術(shù)
可將護(hù)膜以期望的(或作為另外一種選擇,預(yù)定的)間隙放置在光掩模之上以幫助保護(hù)光掩模的表面不受外部微粒的影響。在微影工藝(lithography process)期間,期望護(hù)膜在暴露至光時會在設(shè)定時間段或更長時間內(nèi)保持不變形或不破裂。期望存在一種在微影工藝期間暴露至紫外光時能夠承受長期暴露至氫等離子體的護(hù)膜。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明概念提供一種在極紫外光曝光環(huán)境中可使用長時間段的用于暴露到極紫外光的護(hù)膜。
本發(fā)明概念提供一種制造在極紫外光曝光環(huán)境中可使用長時間段的用于暴露到極紫外光的護(hù)膜的方法。
本發(fā)明概念提供一種在極紫外光曝光環(huán)境中可使用長時間段的用于暴露到極紫外光的光掩模總成。
根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施例,提供一種用于極紫外光(extreme ultravioletlight,EUVL)曝光的護(hù)膜,所述護(hù)膜包括:護(hù)膜膜片,包括碳系主層以及硼系增強(qiáng)層,所述碳系主層具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面,所述硼系增強(qiáng)層覆蓋所述第一表面與所述第二表面中的至少一者。所述護(hù)膜還包括貼合到所述護(hù)膜膜片的框架。
根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施例,提供一種用于極紫外光的護(hù)膜,所述護(hù)膜包括:護(hù)膜膜片,包括碳系主層及氫等離子體耐受性化學(xué)增強(qiáng)層,所述碳系主層具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面,所述氫等離子體耐受性化學(xué)增強(qiáng)層覆蓋所述第一表面與所述第二表面中的至少一者,跨越所述碳系主層與所述氫等離子體耐受性化學(xué)增強(qiáng)層之間的界面存在混合層,且所述混合層包含源自于所述碳系主層的組分及源自于所述氫等離子體耐受性化學(xué)增強(qiáng)層的組分。所述護(hù)膜還包括貼合到所述護(hù)膜膜片的框架。
根據(jù)示例性實(shí)施例,提供一種制造用于暴露到極紫外光的護(hù)膜的方法,所述方法包括:在支撐襯底上形成催化劑層;在所述催化劑層上形成硼系材料層;在所述硼系材料層上形成碳系主層;以及將所述支撐襯底及所述催化劑層移除。
根據(jù)示例性實(shí)施例,提供一種用于暴露到極紫外光的光掩模總成,所述光掩模總成包括護(hù)膜,所述護(hù)膜包括護(hù)膜膜片及貼合到所述護(hù)膜膜片的框架,所述護(hù)膜膜片包括碳系主層,所述碳系主層具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面,所述護(hù)膜膜片還包括硼系增強(qiáng)層,所述硼系增強(qiáng)層涂布在所述第一表面與所述第二表面中的至少一者。所述光掩模總成還包括光掩模,所述護(hù)膜固定到所述光掩模的表面。
根據(jù)示例性實(shí)施例,提供一種光刻系統(tǒng),所述光刻系統(tǒng)包括:掩模版平臺;掩模版,位于所述掩模版平臺的第一表面上;以及護(hù)膜膜片,位于所述掩模版的第一表面上,所述護(hù)膜膜片包括碳系主層及硼系增強(qiáng)層,所述碳系主層具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面,所述硼系增強(qiáng)層覆蓋所述碳系主層的所述第一表面與所述第二表面中的至少一者。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
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- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
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- X射線探測方法以及裝置以及系統(tǒng)
- 圖書信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書架
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