[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201810264165.8
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN108666370B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 吉村充弘;畠中雅宏
• 申請（專利權）人: 艾普凌科有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;閆小龍

本發明涉及半導體裝置。提供抑制了溝槽延伸設置方向的溝道形成密度的降低的半導體裝置。在具有第一高度的第一表面和第二高度的第二表面的半導體基板中，具備：設置在背面的背面半導體電極層；在背面半導體電極層之上形成的基極區域；具有從第一表面和第二表面到達背面半導體電極層的上表面的深度的溝槽；覆蓋溝槽的內側的柵極絕緣膜；埋入到第三高度的柵極電極；設置在柵極電極上的絕緣膜；以及在溝槽的延伸設置方向上交替地配置的、具有第一表面且形成有基極接觸區域的第一區域和具有第二表面且形成有源極區域的第二區域。

技術領域

本發明涉及半導體裝置，特別是涉及具有具備溝槽柵的縱向晶體管的半導體裝置。

背景技術

作為以往的縱向晶體管之一，例如如專利文獻1所示那樣提出了采用了如下結構的縱向MOSFET：僅在形成于基板的溝槽內的下部設置柵極電極，在溝槽內上部埋入將源極電極與柵極電極絕緣的絕緣膜且其上表面形成為與基板表面形成大致同一平面，在該平面上形成源極電極。由此，不需要在將柵極電極埋入到溝槽上部且將絕緣膜形成在基板表面上的情況下所需要的、在絕緣膜之上形成的源極電極以及用于將基板表面的源極區域和基極接觸區域連接的接觸開口，由此，能夠縮小相鄰的溝槽間隔，使裝置的橫向上的尺寸變小。

進而，在專利文獻1（特別是參照圖2、5）中，公開了也能夠通過沿著條紋狀的溝槽在基板表面交替地配置源極區域和基極接觸區域來縮小相鄰的溝槽的間隔來使裝置的橫向尺寸進一步變小。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-101027號公報。

發明要解決的課題

在專利文獻1所公開的、交替地配置源極區域和基極接觸區域的構造中，在基極接觸區域中不會形成溝道，因此，為了使晶體管的溝槽延伸設置方向的溝道形成密度高，需要使溝槽延伸設置方向的基極接觸區域的寬度（以后，在此所說的寬度為溝槽延伸設置方向的長度）窄。可是，由發明者發現了：如圖16（在該圖中，省略了最上側表面的源極電極）所示那樣，在這樣的構造中在源極區域507與基極接觸區域509之間的結附近由于掩模對準偏離或熱擴散形成了實質的雜質濃度降低而成為高電阻的不確定區域530。該不確定區域530使源極區域507和基極接觸區域509的寬度變窄。因此，關于源極區域507和基極接觸區域509，考慮該不確定區域530的產生需要預先將寬度設定得寬，難以使裝置的溝槽延伸設置方向的尺寸小來抑制溝槽延伸設置方向的溝道形成密度的降低。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種使裝置的溝槽延伸設置方向的尺寸變小而能夠抑制溝槽延伸設置方向的溝道形成密度的降低的半導體裝置。

用于解決課題的方案

為了解決上述的課題，因此，本發明采用以下那樣的半導體裝置。