[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201810264165.8
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN108666370B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 吉村充弘;畠中雅宏
• 申請（專利權）人: 艾普凌科有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;閆小龍

1.一種半導體裝置，具備：具有設置在第一高度的第一表面和設置在與所述第一高度不同的第二高度的第二表面的半導體基板、在所述第一表面和所述第二表面之上相接設置的第一電極、以及在所述半導體基板的背面上相接設置的第二電極，所述半導體裝置的特征在于，

所述半導體基板具備：

第一導電型的背面半導體電極層，設置為從所述半導體基板的背面起具有規定的厚度；

第二導電型的基極區域，形成在所述背面半導體電極層之上；

溝槽，具有從所述第一表面和所述第二表面到達所述背面半導體電極層的上表面的深度；

柵極絕緣膜，設置在位于所述第一表面與所述溝槽的底面之間的第三高度以下的、所述溝槽的側面和底面；

柵極電極，在所述溝槽內經由所述柵極絕緣膜埋入到所述第三高度為止；

絕緣膜，在所述溝槽內的所述柵極絕緣膜和所述柵極電極上并且在所述第一高度和所述第二高度的任一個較高的一個高度的位置設置有上表面；以及

沿著所述溝槽交替地配置的、具有所述第一表面的第一區域和具有所述第二表面的第二區域，

在所述第一區域中具有比所述基極區域高濃度的第二導電型的基極接觸區域，所述基極接觸區域具有與所述基極區域相接的部分、以及與所述第一電極相接的部分，

在所述第二區域中具有源極區域，所述源極區域具有與所述基極區域相接的部分、從所述第二表面到所述第三高度沿著所述溝槽外側面的部分、以及與所述第一電極相接的部分，

所述第二高度比所述第一高度低，進而比所述基極接觸區域的與所述基極區域相接的部分低。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置為在所述背面半導體電極層與所述第二電極之間具備第二導電型的集電極層的絕緣柵雙極晶體管。