[發(fā)明專利]3D NAND閃存結構的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810262370.0
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN108417577B
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發(fā)明（設計）人: 肖莉紅;王恩博;董金文;楊號號;周玉婷;湯召輝
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11551
• 分類號: H01L27/11551;H01L27/11578
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 董琳

1.一種3D NAND閃存結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有堆疊結構及至少覆蓋所述堆疊結構側面的介質層，所述堆疊結構包括相互堆疊的第一絕緣層和第二絕緣層；

刻蝕所述堆疊結構至半導體襯底表面，在所述堆疊結構內同時形成核心通孔及偽通孔；

在所述核心通孔填充第一填充層；

在所述偽通孔內填充第二填充層，所述第二填充層作為所述堆疊結構的絕緣支柱；

去除所述核心通孔內的第一填充層；

在所述核心通孔側壁表面形成功能側壁。

2.根據(jù)權利要求1所述的3D NAND閃存結構的形成方法，其特征在于，在所述核心通孔填充第一填充層的方法包括：在所述核心通孔和偽通孔內同時填充第一填充層；在所述堆疊結構、介質層及第一填充層上形成暴露出偽通孔內第一填充層表面的第一圖形化掩膜層；以所述第一圖形化掩膜層為掩膜，去除所述偽通孔內的第一填充層。

3.根據(jù)權利要求2所述的3D NAND閃存結構的形成方法，其特征在于，以所述第一圖形化掩膜層為掩膜，采用干法刻蝕工藝去除所述偽通孔內的第一填充層。

4.根據(jù)權利要求1所述的3D NAND閃存結構的形成方法，其特征在于，通過干法刻蝕工藝去除所述核心通孔內的第一填充層。

5.根據(jù)權利要求3或4所述的3D NAND閃存結構的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕工藝為灰化工藝。

6.根據(jù)權利要求2所述的3D NAND閃存結構的形成方法，其特征在于，還包括：在所述堆疊結構、介質層及第一填充層上形成第二掩膜層；然后再在所述第二掩膜層表面形成第一圖形化掩膜層。

7.根據(jù)權利要求6所述的3D NAND閃存結構的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜層的材料與所述第一填充層材料相同；在去除所述核心通孔內的第一填充層的同時去除所述第二掩膜層。

8.根據(jù)權利要求1所述的3D NAND閃存結構的形成方法，其特征在于，所述第一填充層的材料為無定型碳。

9.根據(jù)權利要求1所述的3D NAND閃存結構的形成方法，其特征在于，所述第二填充層的材料為氧化硅或氮氧化硅。

10.根據(jù)權利要求1所述的3D NAND閃存結構的形成方法，其特征在于，所述堆疊結構包括核心陣列區(qū)域以及圍繞核心陣列區(qū)域的臺階區(qū)域；所述偽通孔包括位于核心陣列區(qū)域的第一偽通孔、位于所述臺階區(qū)域的第二偽通孔以及位于核心陣列區(qū)域的隔離溝槽，所述第二偽通孔的上部穿過所述介質層、下部穿過所述堆疊結構。