[發明專利]一種低等效串聯電阻小型晶片制作方法及系統

在審

• 申請號: 201810262133.4
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN108512518A
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 蔣振聲;劉青健;威廉·比華;李小菊
• 申請（專利權）人: 應達利電子股份有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02
• 代理公司: 深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312
• 代理人: 袁文英

本發明提供了一種低等效串聯電阻小型晶片制作方法，首先在整個大尺寸的石英晶片的兩面各形成一層金屬保護膜，然后用激光按照預設的矩陣布局在兩面保護膜上去膜開孔，形成一定形狀和面積的一維或二維矩陣排列的小晶片布局，然后用腐蝕液從這些開孔處進行淺腐蝕。接著依次進行激光去膜、深腐蝕，產生若干個兩端或四邊變薄而中央部位突出的小晶片，最后將各個小晶片上的剩余金屬保護膜去掉，最終形成大量ESR小型晶片。該制作方法簡單，適用于大規模生產，且可以得到大量更優質的低成本ESR小晶片。

技術領域

本發明屬于石英晶片制作技術領域，尤其涉及一種低等效串聯電阻小型晶片制作方法及系統。

背景技術

石英晶體諧振器由于其頻率的準確性及穩定性的特點，在現代電子行業中應用廣泛，如通訊、電腦、娛樂設備等等。在通常情況下，石英晶體諧振器的輸出頻率和所用的石英晶體晶片的有效厚度成反比，頻率越高，則晶片的厚度越薄，厚度和頻率有如下關系：t＝1.65/F，其中，t為厚度，單位為mm，F為頻率，單位為MHz。

由于各個應用領域的產品的小型化，其對石英晶體諧振器和振蕩器的體積要求也越來越小，而小型化后的石英晶體諧振器和振蕩器也要求其使用的石英晶體晶片的尺寸越來越小，而石英晶片的尺寸越來越小又使得晶片的等效串聯電阻(Equivalent SeriesResistance，ESR)越來越高，而晶片越來越高的等效串聯電阻(ESR)又會降低石英晶體諧振器和振蕩器的有效功能。所以，如何降低小型晶片的等效串聯電阻(ESR)并且大規模低成本地制造這類小型晶片是石英晶體諧振器和振蕩器行業的一個越來越大的趨勢。

在石英晶體諧振理論中，相關能陷理論所提供的一種實施方法是使小晶片中央部位的有效諧振面保持相對較厚而周邊的無效諧振面部位保持相對較薄，這樣就能將在晶片中央部位的有效諧振面的能量盡量保持在中央部位而減少能量向周邊部位的擴散而帶來的能量損耗，從而降低小晶片的等效串聯電阻(ESR)，滿足顧客需求。

目前，常用的能陷理論實施方法是采用滾筒工藝。該工藝技術是按照一定比例將小型晶片和砂混合放入一個中間空的金屬滾筒中，通過滾動金屬筒來使小型晶片和砂一起在金屬滾筒的內壁上摩擦。這種方法在統計意義上可以大量實現小型晶片周邊形狀的改變特別是變薄，達到“能陷”的效果。但是，在滾筒工藝過程中非常難控制每個小晶片的具體運動狀態，從而也難控制每個小晶片的形狀。所以使用這類工藝過程所生產的小晶片，其在實施晶片能陷理論的設計要求的控制方面非常困難，致使這類小晶片的等效串聯電阻很高，在應用中無法充分滿足顧客的需求。

由上述可知，現有的等效串聯電阻小型晶片制作方法制作的小晶片的等效串聯電阻高、且造價成本高、不利于大規模生產。

發明內容

本發明所要解決的技術問題為提供低等效串聯電阻小型晶片制作方法，旨在解決現有的等效串聯電阻小型晶片制作方法制作的小晶片的等效串聯電阻高、且造價成本高、不利于大規模生產的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種低等效串聯電阻小型晶片制作方法，該方法包括：

在一大尺寸晶片的兩面各濺射一層保護膜，按照預設的矩陣布局，利用激光去除所述大尺寸晶片上對應的矩陣點的保護膜；

對所述大尺寸晶片上已去除保護膜的矩陣點(即沒有保護膜的部分)進行腐蝕，以使其被腐蝕薄；

利用激光去除所述大尺寸晶片上與已去除保護膜的矩陣點(所述沒有保護膜部位的相鄰保護膜)相鄰部位的一部分保護膜；

對所述大尺寸晶片上已去除保護膜的矩陣點(即第一次激光去膜部位)進行腐蝕，使其腐蝕穿形成開孔，以便將所述大尺寸晶片分解成矩陣排列的若干邊緣薄而中央部位還有保護膜的小型晶片；

利用金屬腐蝕技術去除各個所述小型晶片上的剩余保護膜，形成兩端或四邊薄而中央厚的低等效串聯電阻小型晶片。