[發明專利]一種低等效串聯電阻小型晶片制作方法及系統

在審

• 申請號: 201810262133.4
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN108512518A
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 蔣振聲;劉青健;威廉·比華;李小菊
• 申請（專利權）人: 應達利電子股份有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02
• 代理公司: 深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312
• 代理人: 袁文英

1.一種低等效串聯電阻小型晶片制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在一大尺寸晶片的兩面各濺射一層保護膜，按照預設的矩陣布局，利用激光去除所述大尺寸晶片上對應的矩陣點的保護膜；

對所述大尺寸晶片上已去除保護膜的矩陣點進行腐蝕，以使其被腐蝕薄；

利用激光去除所述大尺寸晶片上與已去除保護膜的矩陣點相鄰部位的一部分保護膜；

對所述大尺寸晶片上已去除保護膜的矩陣點進行腐蝕，使其腐蝕穿形成開孔，以便將所述大尺寸晶片分解成矩陣排列的若干邊緣薄而中央部位還有保護膜的小型晶片；

利用金屬腐蝕技術去除各個所述小型晶片上的剩余保護膜，形成兩端或四邊薄而中央厚的低等效串聯電阻小型晶片。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預設的矩陣布局為具有特定形狀或面積的一維或二維矩陣；其中，所述特定形狀或面積根據小型晶片的規格進行設定。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在一大尺寸晶片的兩面各濺射一層保護膜包括：利用真空金屬濺射技術，在一大尺寸晶片的兩面各濺射一層保護膜。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述保護膜的材料為可以抗石英晶體腐蝕液的任何金屬或金屬合金。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述大尺寸晶片上已去除保護膜的矩陣點進行腐蝕，以使其被腐蝕薄，通過采用石英晶體腐蝕技術實現。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述大尺寸晶片上已去除保護膜的矩陣點進行腐蝕，使其腐蝕穿形成開孔，通過采用石英晶體腐蝕技術實現。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述大尺寸晶片的兩面均需進行去除保護膜及腐蝕操作，且兩面去除保護膜及腐蝕操作的位置對稱。

8.一種低等效串聯電阻小型晶片制作系統，其特征在于，所述系統包括：

濺射保護膜裝置，用于在一大尺寸晶片的兩面各濺射一層保護膜；

激光去膜裝置，用于按照預設的矩陣布局，利用激光去除所述大尺寸晶片上對應的矩陣點的保護膜；

石英晶體腐蝕裝置，用于對所述大尺寸晶片上已去除保護膜的矩陣點進行腐蝕，以使其被腐蝕薄；

激光去膜裝置，還用于利用激光去除所述大尺寸晶片上與已去除保護膜的矩陣點相鄰部位的一部分保護膜；

石英晶體腐蝕裝置，還用于對所述大尺寸晶片上已去除保護膜的矩陣點進行腐蝕，使其腐蝕穿形成開孔，以便將所述大尺寸晶片分解成矩陣排列的若干邊緣薄而中央部位還有保護膜的小型晶片；

金屬腐蝕裝置，用于利用金屬腐蝕技術去除各個所述小型晶片上的剩余保護膜，形成兩端或四邊薄而中央厚的低等效串聯電阻小型晶片。