[發明專利]一種超厚立方AlN薄膜的制備方法在審
| 申請號： | 201810261965.4 | 申請日： | 2018-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN108441818A | 公開（公告）日： | 2018-08-24 |
| 發明（設計）人： | 曾宇喬;莫丹;楊志;季寶榮;朱奎;鄭云西;肖敬才;李娟;張旭海;邵起越;蔣建清 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58;C23C28/04 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210033 江蘇省南京*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 立方AlN 沉積 多層涂層 氮化鈦 超厚 薄膜 恒定 納米復合涂層 氮化鈦涂層 熱處理 長期穩定 磁控濺射 高溫條件 溫度保持 真空條件 制備工藝 襯底 單層 基底 制備 | ||
1.一種超厚立方AlN薄膜的制備方法，其特征在于：利用真空沉積技術在基片表面沉積具有調制周期和厚度比的TiN和AlN的納米多層涂層；再將沉積獲得的納米復合涂層在真空條件下進行高溫熱處理，獲得立方TiN-立方AlN多層涂層。
2.根據權利要求1所述的一種超厚立方AlN薄膜的制備方法，其特征在于：所述TiN和AlN納米多層涂層，沉積參數為：采用磁控濺射沉積方式在單面拋光的單晶Si(100)或單面拋光的單晶MgO(100)上進行，基底溫度500-700攝氏度；靶基距2-10cm；本底真空為6.0×10-4-0.2×10-4Pa，沉積的工作氣壓0.2-2Pa，Ar流量20-50sccm，N2流量1-10sccm；TiN膜層用2-10W/cm2功率密度的直流濺射，AlN膜層用2-10W/cm2功率密度的射頻濺射；樣品臺自轉速度為1-30rpm。
3.根據權利要求1或2所述的一種超厚立方AlN薄膜的制備方法，其特征在于：所述TiN厚度介于1-10nm之間，AlN厚度介于1-5納米之間。
4.根據權利要求1或2所述的一種超厚立方AlN薄膜的制備方法，其特征在于：所述濺射出的多層涂層中，AlN為一種非平衡結構，在42度處有明顯不同于六方和立方AlN的XRD衍射峰。
5.根據權利要求1所述的一種超厚立方AlN薄膜的制備方法，其特征在于：所述的高溫熱處理，：真空度高于5.0×10-3Pa，熱處理溫度范圍為1000-1100攝氏度，熱處理時間為0.5-5小時。
6.根據權利要求1所述的一種超厚立方AlN薄膜的制備方法，其特征在于：所述的TiN和AlN的納米多層涂層，涂層中的AlN為立方結構，與TiN共格，厚度最大為5nm，且在1150攝氏的條件下至少保持24小時不發生相變。
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