[發明專利]一種含有PTFE的多層PCB的制作方法

有效

• 申請號: 201810259638.5
• 申請日: 2018-03-27
• 公開（公告）號: CN108449890B
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 賴羅魯羲
• 申請（專利權）人: 廣東生益科技股份有限公司
• 主分類號: H05K3/46
• 分類號: H05K3/46
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種含有PTFE的多層PCB的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)提供采用RTF銅箔的PTFE基板；

(2)蝕刻線路，蝕刻線路后的PTFE基板不做棕化線；

(3)在蝕刻后的PTFE基板表面做plasma表面等離子活化處理；

(4)壓合程序，并將壓合前的滯留時間控制在4h以內；

(5)完成壓合，從而獲得含有PTFE的多層PCB；

步驟(3)所述plasma表面等離子活化處理的溫度控制在25～60℃以內；

所述plasma表面等離子活化處理的時間控制在1h以內；

步驟(4)所述壓合程序的升溫速率為＞3℃/min。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)所述PTFE基板不做任何形式的磨板和微蝕。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述plasma表面等離子活化處理的射頻控制在4000～4300W。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述plasma表面等離子活化處理分兩步進行，其中第一步是采用O₂、N₂和H₂氣體在220～250Torr的壓力下、等離子體氣流量為2～3LT/min的條件下處理10～18min；第二步是采用N₂和H₂氣體在220～250Torr的壓力下、等離子體氣流量為2～3LT/min的條件下處理42～50min。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

(1)提供采用RTF銅箔的PTFE基板，開料后不做任何形式的磨板和微蝕；

(2)蝕刻線路，蝕刻線路后的PTFE基板不做棕化線；

(3)在蝕刻后的PTFE基板表面做plasma表面等離子活化處理，所述plasma表面等離子活化處理的溫度控制在25～60℃以內，時間控制在1h以內；

所述plasma表面等離子活化處理具體為：第一步采用O₂、N₂和H₂氣體在220～250Torr的壓力下、等離子體氣流量為2～3LT/min的條件下處理10～18min；第二步采用N₂和H₂氣體在220～250Torr的壓力下、等離子體氣流量為2～3LT/min的條件下處理42～50min；

(4)壓合程序，并將壓合前的滯留時間控制在4h以內；

(5)完成壓合，從而獲得含有PTFE的多層PCB。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)前還包括步驟(1＇)：在PCB板的四周設置鉚釘孔。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述含有PTFE的多層PCB，其PTFE多層板與PP間的結合力≥0.4N/mm。

8.如權利要求1-7之一所述的方法制作而成的含有PTFE的多層PCB。