[發(fā)明專利]一種獲取ICI影響因子及提升糾錯能力的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201810258934.3
• 申請日: 2018-03-27
• 公開（公告）號: CN108563533A
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡穎穎
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳憶聯(lián)信息系統(tǒng)有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10;G11C29/42;G11C16/34
• 代理公司: 廣東廣和律師事務(wù)所 44298
• 代理人: 董紅海

本發(fā)明公開了一種獲取ICI影響因子及提升糾錯能力的方法，其特征在于根據(jù)試驗預(yù)先獲得相鄰的干擾存儲單元存儲不同數(shù)據(jù)對存儲單元Cell影響程度，通過讀取存儲單元Cell的干擾存儲單元實際寫入的數(shù)據(jù)，分別獲得各個干擾存儲單元的子影響因子，最后進(jìn)行疊加獲得最終的ICI影響因子。本發(fā)明針對NAND Flash中相鄰存儲單元間的串?dāng)_ICI的影響，獲取ICI影響因子，并將其應(yīng)用到Cell的LLR中以生成更為全面及細(xì)化的LUT表，從而提升LDPC糾錯能力，從而提升NAND Flash使用壽命的方法。該方法可以解決修改閾值電壓無法判斷交疊部分分布的問題，并將ICI影響加以應(yīng)用，提升糾錯能力。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及存儲技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種獲取ICI影響因子及提升糾錯能力的方法。

背景技術(shù)

Nand Flash是一種非易失性存儲半導(dǎo)體，其通過向存儲單元Cell浮柵層注入電子的方式存儲數(shù)據(jù)。隨著存儲單元浮柵層中電子數(shù)增加，相應(yīng)的電壓也會逐漸增大。Flash的擦除會損壞浮柵晶體管的氧化溝道，造成電壓值的波動和偏移，界面態(tài)陷阱恢復(fù)和電子的逃逸也會造成電壓的降低，通常Cell電壓可近似為高斯分布。將Cell電壓與判斷電壓Vth(也稱閾值電壓)對比，從而可以確定其存儲的數(shù)據(jù)Level。

圖1是兩種相連存儲單元電壓分布示意圖，其中A是理想的相鄰兩個存儲單元的分布，兩個存儲單元的電壓不存在重疊情況，因此取缺省的判斷電壓Default Vref即可實現(xiàn)兩個存儲單元的數(shù)據(jù)判斷，不會存在相互影響。但是Nand Flash存儲的數(shù)據(jù)會受到相鄰Cell的干擾，滯留Retention特性的影響以及隨機(jī)噪聲干擾，造成電壓分布的偏移和展寬。當(dāng)部分Cell電壓分布超出判斷電壓Vth范圍就會造成誤判，導(dǎo)致錯誤Bit數(shù)增加。B是相鄰兩個存儲單元存在交疊情況的分布；但是，當(dāng)相鄰Level分布出現(xiàn)交疊時，單純的調(diào)整判斷電壓，不能判定交疊處的電壓分布。有針對性的偏移判斷電壓可以減少誤判，這是當(dāng)前普遍的糾錯方法。

LDPC(Low-density Parity-check，低密度奇偶校驗)算法是一種循環(huán)迭代算法，其主要通過對每個bit進(jìn)行可靠度(Log Likelihood Ratio)判斷，最終生成LUT表(Look UpTable.查找表，就是每個bit都會在查找表中有自己的可靠度度量方式，用來表征對應(yīng)bit是否可靠及可靠程度)，從而對讀取錯誤的數(shù)據(jù)進(jìn)行部分bit翻轉(zhuǎn)迭代糾錯的方式進(jìn)行。其生成LUT表的過程中，所需要的中間信息稱為軟信息。軟信息的獲取，考慮到的因素越多，其信息生成越細(xì)化，LUT表越準(zhǔn)確，從而LDPC糾錯能力得以提升。

發(fā)明內(nèi)容

針對以上缺陷，本發(fā)明目的在于如何獲取更為詳細(xì)的軟信息，對LUT表細(xì)化最后實現(xiàn)提升LDPC糾錯能力的目的。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種獲取ICI影響因子的方法，其特征在于根據(jù)試驗預(yù)先獲得相鄰的干擾存儲單元存儲不同數(shù)據(jù)對存儲單元Cell影響程度，通過讀取存儲單元Cell的干擾存儲單元實際寫入的數(shù)據(jù)，分別獲得各個干擾存儲單元的子影響因子，最后進(jìn)行疊加獲得最終的ICI影響因子。

所述的獲取ICI影響因子的方法，其特征在于僅選取對存儲單元Cell影響最大的兩個相鄰的存儲單元作為干擾存儲單元，僅讀取選出的兩個干擾存儲單元實際寫入的數(shù)據(jù)，并獲得兩個子影響因子，將這兩個子影響因子進(jìn)行疊加后獲得最終的ICI影響因子。

所述的獲取ICI影響因子的方法，其特征在于Nand Flash為MLC類型，干擾存儲單元存儲的數(shù)據(jù)對存儲單元Cell的影響按“10”>“00”>“01”>“11”從大到小進(jìn)行分布；存儲單元Cell[WLi，BLj]的ICI影響因子選擇Cell[WLi-1，BLj]和Cell[WLi+1，BLj]兩個存儲單元作為干擾存儲單元。