[發明專利]一種獲取ICI影響因子及提升糾錯能力的方法

在審

• 申請號: 201810258934.3
• 申請日: 2018-03-27
• 公開（公告）號: CN108563533A
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: 胡穎穎
• 申請（專利權）人: 深圳憶聯信息系統有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10;G11C29/42;G11C16/34
• 代理公司: 廣東廣和律師事務所 44298
• 代理人: 董紅海

1.一種獲取ICI影響因子的方法，其特征在于根據試驗預先獲得相鄰的干擾存儲單元存儲不同數據對存儲單元Cell影響程度，通過讀取存儲單元Cell的干擾存儲單元實際寫入的數據，分別獲得各個干擾存儲單元的子影響因子，最后進行疊加獲得最終的ICI影響因子。

2.根據權利要求1所述的獲取ICI影響因子的方法，其特征在于僅選取對存儲單元Cell影響最大的兩個相鄰的存儲單元作為干擾存儲單元，僅讀取選出的兩個干擾存儲單元實際寫入的數據，并獲得兩個子影響因子，將這兩個子影響因子進行疊加后獲得最終的ICI影響因子。

3.根據權利要求2所述的獲取ICI影響因子的方法，其特征在于干擾存儲單元存儲的數據對存儲單元Cell的影響按“10”>“00”>“01”>“11”從大到小進行分布；存儲單元Cell[WLi，BLj]的ICI影響因子選擇Cell[WLi-1，BLj]和Cell[WLi+1，BLj]兩個存儲單元作為干擾存儲單元。

4.一種提升糾錯能力的方法，其特征在根據ICI影響因子計算LDPC算法中的可靠度LLR(Log Likelihood Ratio)及LUT表，利用LLR和LUT表進行迭代糾錯；所述獲取ICI影響因子根據如下方法獲得，在于根據試驗預先獲得相鄰的干擾存儲單元存儲不同數據對存儲單元Cell影響程度，通過讀取存儲單元Cell的干擾存儲單元實際寫入的數據，分別獲得各個干擾存儲單元的子影響因子，最后進行疊加獲得最終的ICI影響因子。

5.根據權利要求4所述的提升糾錯能力的方法，其特征在于僅選取對存儲單元Cell影響最大的兩個相鄰的存儲單元作為干擾存儲單元，僅讀取選出的兩個干擾存儲單元實際寫入的數據，并獲得兩個子影響因子，將這兩個子影響因子進行疊加后獲得最終的ICI影響因子。

6.根據權利要求5所述的提升糾錯能力的方法，其特征在于Nand Flash為MLC類型，干擾存儲單元存儲的數據對存儲單元Cell的影響按“10”>“00”>“01”>“11”從大到小進行分布；存儲單元Cell[WLi，BLj]的ICI影響因子選擇Cell[WLi-1，BLj]和Cell[WLi+1，BLj]兩個存儲單元作為干擾存儲單元。