[發明專利]減少校準和調諧期間的檢測器耗損

有效

• 申請號: 201810257300.6
• 申請日: 2018-03-27
• 公開（公告）號: CN108666199B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: G·B·古肯博格;S·T·夸姆比;J·G·沃斯;M·B·楊
• 申請（專利權）人: 薩默費尼根有限公司
• 主分類號: H01J49/00
• 分類號: H01J49/00;H01J49/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳潔;姬利永

1.一種對質譜儀進行質量校準的方法，包括：

電離離子源中包含一種或多種校準物種的校準混合物，從而產生第一離子物種和第二離子物種；

跨越質量范圍掃描四極；

對于所述質量范圍的第一部分，使用檢測器的第一增益設置來檢測第一離子物種；

對于所述質量范圍的第二部分，使用所述檢測器的第二增益設置來檢測第二離子物種；以及

使用所述檢測到的第一離子物種和第二離子物種來校準所述質譜儀的所述四極的質量范圍。

2.根據權利要求1所述的方法，進一步包括通過樣品入口將所述校準混合物供應到電離腔室中，并加快電子沿著源軸從電子發射體通過所述電離腔室。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一離子物種具有高于所述第二離子物種的豐度，且所述第一增益設置低于所述第二增益設置，從而避免所述檢測器在檢測所述第一離子物種期間過飽和。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二離子物種是低豐度離子物種，且所述第二增益設置高于所述第一增益設置，從而確保有足夠的信號來檢測所述第二離子物種。

5.一種質譜儀，包括：

離子源，包括：

主體，包括在第一末端處的電離腔室、到所述電離腔室中的樣品入口以及在第二末端處的后電離體積，所述主體在沿著從所述第一末端到所述第二末端的源軸方向上具有長度；和

電子源，定位在所述第一末端處，所述電子源包含電子發射體且被配置成用于加快電子束通過所述電離腔室；

離子光學元件，被配置成沿著離子路徑導引離子；

四極，被配置成基于所述離子的質荷比而將離子分離；

檢測器；以及

系統控制器，其特征在于，所述系統控制器被配置成：

跨越質量范圍掃描所述四極；

在所述四極的質量校準期間、基于所述離子的相對豐度應用離子特定的檢測器增益，從而針對高豐度離子避免所述檢測器過飽和且針對低豐度離子獲得足夠信號。

6.根據權利要求5所述的質譜儀，其中加快所述電子束沿著所述源軸通過所述電離腔室。

7.根據權利要求5所述的質譜儀，其中所述電子發射體是熱離子長絲或場發射體。

8.根據權利要求5所述的質譜儀，其中通過電離包含一種或多種校準物種的校準混合物來產生所述高豐度離子和所述低豐度離子。

9.根據權利要求5所述的質譜儀，其中所述系統控制器被進一步配置成減少檢測器增益校準期間的發射電流，使得單個離子事件支配所述信號或泊松統計學支配均方根偏差。

10.根據權利要求9所述的質譜儀，其中所述系統控制器被配置成通過減少供應給所述電子源的電流來減少所述發射電流。

11.一種對質譜儀進行質量校準的方法，包括：

電離包含一種或多種校準物種的校準混合物，從而產生高豐度離子和低豐度離子；

跨越質量范圍掃描四極；

在所述四極的質量校準期間、基于所述高豐度離子和所述低豐度離子的相對豐度應用離子特定的增益，從而針對所述高豐度離子避免所述質譜儀的檢測器過飽和且針對所述低豐度離子獲得足夠信號。

12.根據權利要求11所述的方法，進一步包括運用減小的發射電流來執行檢測器增益校準，使得單個離子事件支配所述信號或泊松統計學支配均方根偏差。

13.根據權利要求12所述的方法，其中通過減少供應給電子源的電流來減小所述發射電流。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述電子源是熱離子長絲或場發射體。