[發(fā)明專利]離子注入裝置及離子注入方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810256674.6
• 申請日: 2018-03-27
• 公開（公告）號: CN108695129B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設計）人: 越智秀太;二宮史郎;高橋裕二;香川唯信
• 申請（專利權(quán)）人: 住友重機械離子科技株式會社
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/302
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉杰

本發(fā)明提供一種離子注入裝置及離子注入方法，能夠應對多種射束條件。離子注入裝置具備構(gòu)成為對向晶圓照射的離子束(B)供給電子的等離子體簇射裝置(60)。等離子體簇射裝置(60)包含：等離子體生成室(62)，具有引出向離子束(B)供給的電子的引出開口(64)；第1電極(71)，具有與引出開口(64)連通的開口(74)，并以等離子體生成室(62)的電位為基準而被施加第1電壓；第2電極(72)，配置在隔著離子束(B)而與第1電極(71)相對置的位置，并以等離子體生成室(62)的電位為基準而被施加第2電壓；以及控制部(86)，對第1電壓及第2電壓分別獨立地進行控制并切換等離子體簇射裝置(60)的動作模式。

本申請主張基于2017年3月29日申請的日本專利申請第2017-064492號的優(yōu)先權(quán)。該申請的所有內(nèi)容通過參考援用于本說明書中。

技術領域

本發(fā)明涉及一種離子注入裝置及離子注入方法。

背景技術

半導體制造工序中，為了改變半導體晶圓的導電性的目的和改變半導體晶圓的晶體結(jié)構(gòu)的目的等，標準地實施了向半導體晶圓注入離子的工序。該工序中所使用的裝置一般被稱為離子注入裝置，其構(gòu)成為向注入處理室內(nèi)的晶圓照射離子束。在注入處理室中，為了防止由離子注入引起的晶圓表面的帶電，設置有等離子體簇射裝置等帶電抑制裝置。等離子體簇射裝置通過向晶圓表面供給電子，從而中和在晶圓表面上帶電的電荷(參考專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2006-156142號公報

等離子體簇射裝置中所要求的電子供給量可以根據(jù)照射于晶圓的離子束的射束條件而不同。例如，如果為1～10mA左右的高電流束，則需要更多的電子供給，與此相對，如果為10～100μA左右的低/中電流束，則不需要高電流束程度的電子供給量。因此，在高電流用注入裝置與低/中電流用注入裝置中，一般使用規(guī)格分別不同的等離子體簇射裝置。另一方面，當為了能夠用1臺注入裝置擔負低/中電流區(qū)域到高電流區(qū)域時，需要設為能夠根據(jù)射束條件而實現(xiàn)適當?shù)碾娮庸┙o量的等離子體簇射裝置。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于這種狀況而完成的，其目的在于提供一種能夠應對多種射束條件的等離子體簇射裝置。

本發(fā)明的一方式的離子注入裝置，其具備等離子體簇射裝置，該等離子體簇射裝置構(gòu)成為對向晶圓照射的離子束供給電子，該離子注入裝置中，等離子體簇射裝置包含：等離子體生成室，具有引出向離子束供給的電子的引出開口；第1電極，具有與引出開口連通的開口，并以等離子體生成室的電位為基準而被施加第1電壓；第2電極，配置在隔著離子束而與第1電極相對置的位置，并以等離子體生成室的電位為基準而被施加第2電壓；以及控制部，對第1電壓及第2電壓分別獨立地進行控制而切換等離子體簇射裝置的動作模式。

本發(fā)明的另一方式為離子注入方法。該方法使用具備等離子體簇射裝置的離子注入裝置，該等離子體簇射裝置構(gòu)成為對向晶圓照射的離子束供給電子。等離子體簇射裝置包含：等離子體生成室，具有引出向離子束供給的電子的引出開口；第1電極，具有與引出開口連通的開口，并以等離子體生成室的電位為基準而被施加第1電壓；以及第2電極，配置在隔著離子束而與第1電極相對置的位置，并以等離子體生成室的電位為基準而被施加第2電壓。該方法根據(jù)離子束的射束條件，對第1電壓及第2電壓分別獨立地進行控制而切換等離子體簇射裝置的動作模式。

另外，在方法、裝置、系統(tǒng)等之間相互替換以上構(gòu)成要件的任意組合或本發(fā)明的構(gòu)成要件或表述，這作為本發(fā)明的方式也是有效的。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種能夠應對多種射束條件的等離子體簇射裝置。

附圖說明

圖1是表示實施方式所涉及的離子注入裝置的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖2是表示圖1的離子注入裝置的概略結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。