[發明專利]離子注入裝置及離子注入方法

有效

• 申請號: 201810256674.6
• 申請日: 2018-03-27
• 公開（公告）號: CN108695129B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 越智秀太;二宮史郎;高橋裕二;香川唯信
• 申請（專利權）人: 住友重機械離子科技株式會社
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/302
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉杰

1.一種離子注入裝置，其具備等離子體簇射裝置，該等離子體簇射裝置構成為對向晶圓照射的離子束供給電子，該離子注入裝置的特征在于，

所述等離子體簇射裝置包含：

等離子體生成室，具有引出向所述離子束供給的電子的引出開口；

第1電極，具有與所述引出開口連通的開口，并以所述等離子體生成室的電位為基準而被施加第1電壓；

第2電極，配置在隔著所述離子束而與所述第1電極相對置的位置，并以所述等離子體生成室的電位為基準而被施加第2電壓；以及

控制部，對所述第1電壓及所述第2電壓分別獨立地進行控制而切換所述等離子體簇射裝置的動作模式，

所述動作模式包含所述第1電壓及所述第2電壓中的至少一個電壓為負電壓的第1模式以及所述第1電壓及所述第2電壓中的至少一個電壓為正電壓的第2模式。

2.根據權利要求1所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述控制部根據所述離子束的射束條件，改變所述第1電壓及所述第2電壓中的至少一個電壓而切換所述動作模式。

3.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述控制部根據所述離子束的射束電流值，切換所述動作模式。

4.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述控制部根據所述離子束的射束能量，切換所述動作模式。

5.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述控制部根據所述離子束的離子種類，切換所述動作模式。

6.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述第1模式的所述第1電壓為負電壓，

所述第2模式的所述第1電壓為正電壓。

7.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述第1模式的所述第2電壓為負電壓。

8.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述第2模式的所述第2電壓為負電壓。

9.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述第1模式為在所述離子束的射束電流值為規定值以上時選擇的高電流模式，

所述第2模式為在所述離子束的射束電流值小于所述規定值時選擇的低電流模式。

10.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述控制部對所述第1電壓及所述第2電壓分別獨立地進行控制，以使所述第1電壓及所述第2電壓的絕對值分別成為0.1V以上且50V以下。

11.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述離子注入裝置還具備設置在比所述等離子體簇射裝置靠上游側的射束掃描器，

所述射束掃描器構成為使所述離子束在與射束行進方向正交的規定的射束掃描方向上進行往復掃描，

所述第1電極及所述第2電極配置成在與所述射束行進方向及所述射束掃描方向這兩個方向正交的方向上相對置。

12.根據權利要求11所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述等離子體簇射裝置還包含一對第3電極，該一對第3電極配置成隔著所述離子束而在所述射束掃描方向上相對置，并以所述等離子體生成室的電位為基準而被施加第3電壓，

所述控制部還對所述第3電壓進行控制而切換所述動作模式。