[發明專利]半導體器件、制備方法和層合體

有效

• 申請號: 201810254959.6
• 申請日: 2018-03-27
• 公開（公告）號: CN108666224B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發明（設計）人: 安田浩之;菅生道博;加藤英人;近藤和紀
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/29
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 杜麗利

提供了半導體器件，其包括支撐體、粘合樹脂層、絕緣層、重布線層、芯片層和模塑樹脂層。粘合樹脂層樹脂層(A)和樹脂層(B)組成，所述樹脂層(A)包含在其主鏈中含有稠環的光分解性樹脂，所述樹脂層(B)包含非有機硅系熱塑性樹脂并且具有在25℃為1?500MPa的儲能彈性模量E’和5至50MPa的拉伸斷裂強度。所述半導體器件易于制造并且具有耐熱加工性，容易分離所述支撐體并且有效地生產半導體封裝。

相關申請的交叉引用

本非臨時申請在美國法典第35卷第119節(a)款下要求在2017年3月27日于日本提交的第2017-060638號專利申請的優先權，所述專利申請的全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本發明涉及半導體器件，用于制備它的方法和層合體。

背景技術

三維半導體封裝體對于更高的密度和容量而言變得重要。三維半導體封裝技術在于通過減薄半導體芯片，并將它們以多層結構堆疊，同時提供硅通孔(TSV)互連。制造這樣的封裝體需要以下步驟：通過研磨其中形成有半導體電路的基板的非形成電路的表面或背面將其減薄，并在背面上形成TSV和電極。在現有技術中，在研磨硅基板的背面的步驟之前，將保護膠帶貼附至與待研磨的表面相對的基板表面，以防止晶片在研磨步驟期間破裂。因為保護膠帶基于有機樹脂膜，所以它是柔性的，但是強度和耐熱性不足以承受TSV形成步驟和在背面上形成互連的步驟。

然后提出將半導體基板例如經由粘合層結合至硅或玻璃的支撐體上。所產生的體系足以承受研磨背面和在背面上形成TSV和電極的步驟。參見專利文獻1和2。盡管TSV相關的技術有望成為芯片之間的高密度互連的技術，特別是將寬頻帶存儲器連接至處理器的技術，但是因為價格昂貴，現在僅將其應用至一些有限的應用。

最近關注的是扇出型晶圓級封裝(FOWLP)技術，如專利文獻3中所描述。FOWLP是這樣的結構的封裝體：在IC芯片上形成絕緣的精細重布線層(RDL)，從而從芯片區域扇出。該封裝體實現了多個芯片之間的高密度布線并且相對于常規封裝體極大減小了尺寸和外形。

尤其是，研究了涉及在支撐基板上直接處理RDL形成、放置器件芯片和樹脂封裝的RDL-first技術，從而改進RDL與芯片對齊的準確性和應用至具有多個終端的應用處理器。RDL形成和封裝之后必須剝離支撐基板。因為該技術不同于一次將支撐基板結合至半導體基板和加工半導體基板的背面的順序，所以用于TSV形成技術中的粘合劑體系不符合該技術。

在該情況下，專利文獻4公開了包括在支撐體上的含有激光分解性樹脂的剝離層和光固化性樹脂粘合層的結構。通過由于激光輻照的剝離層分解的熱來固化粘合層。在涉及支撐體的分離、膠帶的分離和溶劑清潔的方法中，并未完全除去固化的粘合層，其中固化的粘合層的殘余物留在絕緣層上。

引用列表

專利文獻1：JP-A?2003-177528

專利文獻2：WO?2015/072418

專利文獻3：JP-A?2013-058520

專利文獻4：JP-A?2016-111275

發明內容

本發明的目的在于提供具有包括容易分離、耐熱過程性、容易分離支撐體和半導體封裝體的生產率增加的優點的半導體器件，用于制備所述半導體器件的方法，和適合于制備所述半導體器件的層合體。

發明人已發現上述和其它目的通過包括支撐體、在支撐體上的兩層結構的粘合樹脂層、絕緣層(用于形成重布線層)、重布線層、芯片層和模塑樹脂層的半導體器件以及適合于制備所述半導體器件的層合體得以實現。