[發明專利]半導體器件、制備方法和層合體有效
| 申請號： | 201810254959.6 | 申請日： | 2018-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN108666224B | 公開（公告）日： | 2023-09-05 |
| 發明（設計）人： | 安田浩之;菅生道博;加藤英人;近藤和紀 | 申請（專利權）人： | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/56 | 分類號： | H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司： | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人： | 杜麗利 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制備 方法 合體 | ||
1.半導體器件，其包括支撐體、在所述支撐體上形成的粘合樹脂層、在所述樹脂層上形成的絕緣層、重布線層、芯片層和模塑樹脂層，
所述粘合樹脂層由從支撐體側依次布置的樹脂層(A)和樹脂層(B)組成，所述樹脂層(A)包含在主鏈中含有稠環的光分解性樹脂，所述樹脂層(B)包含非有機硅系熱塑性樹脂并且具有在25℃為1至500MPa的儲能彈性模量E’和5至50MPa的拉伸斷裂強度，
其中，所述樹脂層(A)由包含樹脂(A)的樹脂組合物(A)的固化的產物形成，所述樹脂(A)包含具有式(1)的重復單元：
其中，R1至R3各自獨立地為氫，羥基或C1-C20一價有機基團，R1至R3中的至少一個為羥基，和R4為氫或任選被取代的C1-C30一價有機基團。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述樹脂層(A)對于波長355nm的光具有至多20％的透射率。
3.用于制備根據權利要求1所述的半導體器件的方法，其包括以下步驟：
(a)直接在支撐體上形成樹脂層(A)，
(b)在所述樹脂層(A)上形成樹脂層(B)，
(c)在所述樹脂層(B)上形成絕緣層和在所述絕緣層中形成圖案，
(d)在圖案化的絕緣層上形成導電層，
(e)在所述導電層上形成鍍覆抗蝕層和在所述鍍覆抗蝕層中形成圖案，以使在所述鍍覆抗蝕層的圖案特征之間的導電層暴露，
(f)在所述鍍覆抗蝕層的圖案特征之間的導電層的經暴露的部分上形成重布線層，
(g)除去所述鍍覆抗蝕層以暴露所述導電層并除去由此經暴露的導電層，
(h)形成第二絕緣層和在第二絕緣層中形成圖案以暴露所述重布線層，
(i)在所述重布線層上形成芯片層，
(j)在所述芯片層和所述第二絕緣層之間填充底部填充劑，和
(k)在所述芯片層上形成模塑樹脂層。
4.層合體，其包括支撐體、在所述支撐體上形成的粘合樹脂層、在所述粘合樹脂層上形成的絕緣層和鍍覆抗蝕層，
所述粘合樹脂層由從支撐體側依次布置的樹脂層(A)和樹脂層(B)組成，所述樹脂層(A)包含在主鏈中含有稠環的光分解性樹脂，所述樹脂層(B)包含非有機硅系熱塑性樹脂并且具有在25℃為1至500MPa的儲能彈性模量E’和5至50MPa的拉伸斷裂強度，
其中，所述樹脂層(A)由包含樹脂(A)的樹脂組合物(A)的固化的產物形成，所述樹脂(A)包含具有式(1)的重復單元：
其中，R1至R3各自獨立地為氫，羥基或C1-C20一價有機基團，R1至R3中的至少一個為羥基，和R4為氫或任選被取代的C1-C30一價有機基團。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
