[發明專利]光學掩膜板及基于光學掩膜板的光學掩膜基板的制備方法在審
| 申請號: | 201810254408.X | 申請日: | 2018-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN108255012A | 公開(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發明(設計)人: | 劉永;張尚明;馬小葉;劉國冬;張東徽 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;G02F1/1339 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人: | 劉延喜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學掩膜 基板 制備 曝光圖案 單元圖案 拼接 待曝光基板 圖案 生產資源 曝光膜 透光區 遮光區 曝光 可用 | ||
本發明實施例提供了一種光學掩膜板及基于光學掩膜板的光學掩膜基板的制備方法。所述光學掩膜板包括:具有指定圖案的透光區、以及遮光區;所述指定圖案包括能夠拼接出至少兩種待曝光圖案的單元圖案;可用于制備多種不同的光學掩膜基板,增加通用性。本發明實施例還提供了一種還提供了一種基于光學掩膜板的光學掩膜基板的制備方法,包括:確定出能夠拼接出待曝光圖案的單元圖案,基于該單元圖案周期性地對待曝光膜板進行曝光,直到在所述待曝光基板上形成所述待曝光圖案,得到所述光學掩膜基板;通過控制曝光次數,來制備多種待曝光圖案的光學掩膜基板,可大大降低生產成本,減少生產資源的浪費。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體而言,本發明涉及一種光學掩膜板及基于光學掩膜板的光學掩膜基板的制備方法。
背景技術
近年來TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)以其低工作電壓、低功耗、低輻射、低空間占有率以及輕薄美觀等優勢,不斷普及,已成為市場的主流。
TFT-LCD主要由陣列基板(TFT玻璃基板)和彩膜基板(CF玻璃基板)組成,在陣列基板和彩膜基板對盒(Cell對盒)工藝過程中,需要對封框膠(seal)進行固化;固化方式通常是先采用紫外光(UV)照射的方法進行預固化,然后再進行熱固化。
在預固化過程中,紫外光會對顯示面板的有效顯示區域AA(Active Area)區產生較大的影響,因此需要采用光學掩膜基板(例如紫外光玻璃基板UV Glass)上的金屬圖案對AA區進行遮擋,使紫外光僅對封框膠進行照射,而不會對AA區進行照射,其原理如圖1所示。
現有的光學掩膜基板的制備方法,如圖2所示,通常采用具有一定金屬圖案的光學掩膜板對具有金屬層的玻璃基板進行曝光、刻蝕等,得到具有同樣金屬圖案的光學掩膜基板。
然而,本發明的發明人發現,由于不同TFT-LCD產品往往具有不同形狀封框膠,需要不同圖案的光學掩膜基板來制備不同形狀封框膠,基于現有的光學掩膜基板的制備方法,也就需要分別使用不同圖案的光學掩膜板來制備具有不同圖案的光學掩膜基板,現有的制備方法的原理如圖2所示。也就是說,制備不同的TFT-LCD產品很可能需要單獨制作不同的光學掩膜板,生產成本較大;當TFT-LCD產品的制備量特別少時,為此單獨制作一種或多種光學掩膜板,則更增加了生產成本,也造成了生產資源的浪費。
發明內容
本發明針對現有的方式的缺點,提出一種光學掩膜板及基于光學掩膜板的光學掩膜基板的制備方法,用以解決現有技術中制備不同的光學掩膜基板需要配置不同的光學掩膜板的問題。
本發明的實施例根據一個方面,提供了一種光學掩膜板,包括:具有指定圖案的透光區、以及遮光區;
所述指定圖案包括能夠拼接出至少兩種待曝光圖案的單元圖案。
進一步地,所述單元圖案為至少一種,所述待曝光圖案由一種或兩種以上的單元圖案拼接而成。
進一步地,所述指定圖案為矩形、井字形或十字形。
進一步地,所述矩形具體為圓角矩形;
或,所述井字形包括兩個沿第一方向的第一條形部分和兩個沿第二方向的第二條形部分,每個所述第一條形部分與兩個所述第二條形部分都相交叉,每個交叉處的拐角呈圓角,第一方向與第二方向相垂直;
或,所述十字形包括一個沿第一方向的第一條形部分和一個第二方向的第二條形部分,所述第一條形部分和所述第二條形部分相交叉,交叉處的拐角呈圓角,第一方向與第二方向垂直。
進一步地,所述圓角矩形、井字形或十字形中包括所述單元圖案。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
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