[發明專利]光學掩膜板及基于光學掩膜板的光學掩膜基板的制備方法在審
| 申請號: | 201810254408.X | 申請日: | 2018-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN108255012A | 公開(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發明(設計)人: | 劉永;張尚明;馬小葉;劉國冬;張東徽 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;G02F1/1339 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人: | 劉延喜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學掩膜 基板 制備 曝光圖案 單元圖案 拼接 待曝光基板 圖案 生產資源 曝光膜 透光區 遮光區 曝光 可用 | ||
1.一種光學掩膜板,其特征在于,包括:具有指定圖案的透光區、以及遮光區;
所述指定圖案包括能夠拼接出至少兩種待曝光圖案的單元圖案。
2.根據權利要求1所述的光學掩膜板,其特征在于,所述單元圖案為至少一種,所述待曝光圖案由一種或兩種以上的單元圖案拼接而成。
3.根據權利要求1所述的光學掩膜板,其特征在于,所述指定圖案為矩形、井字形或十字形。
4.根據權利要求3所述的光學掩膜板,其特征在于,所述矩形具體為圓角矩形;
或,所述井字形包括兩個沿第一方向的第一條形部分和兩個沿第二方向的第二條形部分,每個所述第一條形部分與兩個所述第二條形部分都相交叉,每個交叉處的拐角呈圓角,第一方向與第二方向相垂直;
或,所述十字形包括一個沿第一方向的第一條形部分和一個第二方向的第二條形部分,所述第一條形部分和所述第二條形部分相交叉,交叉處的拐角呈圓角,第一方向與第二方向垂直。
5.根據權利要求4所述的光學掩膜板,其特征在于,所述圓角矩形、井字形或十字形中包括所述單元圖案。
6.根據權利要求5所述的光學掩膜板,其特征在于,所述單元圖案為L形,所述L形的單元圖案包括端點相交的沿第一方向的第一條狀透光部和沿第二方向的第二條狀透光部;第一條狀透光部和第二條狀透光部相交處的拐角呈圓角。
7.一種基于光學掩膜板的光學掩膜基板的制備方法,其特征在于,包括:確定出能夠拼接出待曝光圖案的單元圖案,基于該單元圖案周期性地對待曝光膜板進行曝光,直到在所述待曝光基板上形成所述待曝光圖案,得到所述光學掩膜基板;
在每個周期的曝光過程中:
采用遮擋件和如權利要求1-6中任一項所述的具有該單元圖案的光學掩膜板,在所述待曝光膜板上確定出當前周期的曝光區域;
對所述當前周期的曝光區域進行曝光。
8.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,在每個周期的曝光過程中,所述對所述當前周期的曝光區域進行曝光之后,還包括:
判斷所述待曝光基板上已曝光的各曝光區域是否能夠拼接出所述待曝光圖案;若是,結束周期性的曝光;若否,進行下一個周期的曝光。
9.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述采用遮擋件和如權利要求1-6中任一項所述的具有該單元圖案的光學掩膜板,在所述待曝光膜板上確定出當前周期的曝光區域,包括:
采用所述遮擋件對所述光學掩膜板進行遮擋,在所述光學掩膜板上形成具有所述單元圖案的實際透光區;
將形成所述實際透光區的光學掩膜板和所述遮擋件整體移動至當前指定位置、或整體移動至所述當前指定位置且旋轉至當前指定角度,在所述待曝光基板上確定出移動、或移動且旋轉后的所述實際透光區正對的當前曝光區域。
10.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述采用遮擋件和如權利要求1-6中任一項所述的具有該單元圖案的光學掩膜板,在所述待曝光膜板上確定出當前周期的曝光區域,包括:
將所述光學掩膜板移動至所述模待曝光基板上的當前指定位置,或者將所述光學掩膜板移動至所述當前指定位置且將所述光學掩膜板旋轉至當前指定角度;
移動所述遮擋件對所述移動、或移動且旋轉后的光學掩膜板進行遮擋,在該光學掩膜板上形成具有移動、或移動且旋轉后的所述單元圖案的實際透光區;在所述待曝光基板上確定出與移動、或移動且旋轉后的所述實際透光區正對的當前曝光區域。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810254408.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





