[發明專利]一種基于石墨烯自身缺陷制作標準漏孔的方法

在審

• 申請號: 201810253643.5
• 申請日: 2018-03-26
• 公開（公告）號: CN108507719A
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 王旭迪;姜彪;王永健;尉偉;楊丹;邱克強;魏本猛;寇鈺
• 申請（專利權）人: 合肥工業大學
• 主分類號: G01M3/00
• 分類號: G01M3/00;C01B32/194
• 代理公司: 安徽省合肥新安專利代理有限責任公司 34101
• 代理人: 何梅生

1.一種基于石墨自身烯缺陷制作標準漏孔的方法，其特征是首先在石墨烯銅箔涂上聚甲基丙烯酸甲酯，接著放入已配好的腐蝕液去除銅箔，放在去離子水中清洗；再將石墨烯轉到已打好孔的硅片上，將轉移過后的石墨烯放在蒸發皿中，干燥60min，之后將丙酮倒入蒸發皿中去除聚甲基丙烯酸甲酯，再干燥完成石墨烯的轉移，固化制得標準漏孔。

2.根據1所述的基于石墨烯自身缺陷制作標準漏孔的方法，其特征是按如下步驟操作：

a、取一銅箔放入真空管式爐，控制氫氣和甲烷的濃度，進行石墨烯的生長，最后待生長完畢后進行快速降溫，待溫度冷卻后，在銅箔表面沉積獲得單層的石墨烯；

b、在制備好的石墨烯上均勻旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，控制好聚甲基丙烯酸甲酯的厚度，勻膠機先慢速800r/s持續5s，再快速3000r/s持續10s；

c、取一硅片，利用激光在硅片上打小孔，之后在超聲機上分別使用丙酮，酒精和去離子水清洗，作為石墨烯的襯底；

d、用鑷子夾住在步驟b獲得的附有石墨烯的銅箔放到腐蝕溶液中，腐蝕液的配比為硫酸銅：鹽酸：水＝1:5:5，將銅完全腐蝕掉，將獲得的石墨烯/聚甲基丙烯酸甲酯放在去離子水中清洗，得到聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯薄膜；

e、將石墨烯轉移到在步驟c獲得的硅片上后，放入蒸發皿中干燥60min，完成單層石墨烯的轉移，獲得單層石墨烯/聚甲基丙烯酸甲酯結構，若想獲得多層石墨烯/聚甲基丙烯酸甲酯結構，獲得單層石墨烯/聚甲基丙烯酸甲酯結構后，去除聚甲基丙烯酸甲酯，再干燥后，再在其上轉移一層石墨烯聚甲基丙烯酸甲酯，烘干后便得到了雙層石墨烯/聚甲基丙烯酸甲酯的結構，重復該步驟即可獲得多層石墨烯/聚甲基丙烯酸甲酯結構；

f、將含石墨烯的硅片放置在KF40密封法蘭上，將硅片上的小孔與法蘭上的大孔相對應，隨后使用Torr-Seal真空密封膠密封硅片和法蘭，再靜置約12小時制得標準漏孔。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征是步驟a中銅箔放入真空管式爐中抽真空至10Pa左右，然后半小時升溫至1020℃，然后保溫退火60min。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征是步驟b中在制備好的石墨烯上均勻旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，厚度基本控制在300-500nm。

5.根據權利要求2所述的方法，其特征是步驟c中硅片上打孔的直徑為300-800um。

6.根據權利要求2所述的方法，其特征是步驟d中放入銅腐蝕液中浸泡3小時。

7.根據權利要求2所述的方法，其特征是步驟e中去除聚甲基丙烯酸甲酯使用物質的是丙酮。