[發明專利]一種改進型的多樣品并行去封裝方法

有效

• 申請號: 201810252902.2
• 申請日: 2018-03-26
• 公開（公告）號: CN108573903B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 孫萬峰;雷淑華;徐佳;袁曉亞
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本發明公開了一種改進型的多樣品并行去封裝方法，包括步驟S1：提供一燒杯，并制備若干隔板薄片；步驟S2：將若干隔板薄片放入燒杯的內部，使燒杯的內部分隔為若干空間；步驟S3：將若干待處理芯片分別放入若干空間內；步驟S4：對若干待處理芯片同時進行去封裝處理。步驟S4包括：步驟S4.1：向燒杯的內部加入去封裝溶劑，并加熱；步驟S4.2：在若干待處理芯片的封裝介質被完全溶解后，將燒杯的內部的溶液倒出；步驟S4.3：取出處理好的芯片。通過本發明的方法可以實現多個樣品的并行去封裝處理，一次處理即可完成3個以上乃至7個甚至更多個封裝芯片的去封裝處理。

技術領域

本發明涉及芯片去封裝處理的技術領域，尤其涉及一種多樣品并行去封裝方法。

背景技術

在半導體行業，經常遇到芯片在封裝后的實際使用中失效的情況，澄清這類失效就必須對封裝的樣品去封裝后，再對其進行去層、SEM、TEM觀察等物理失效分析。目前業界常用的去封裝手段之一，是將封裝的芯片在發煙硝酸中加熱，使封裝介質在發煙硝酸的作用下分解，從而暴露出芯片。實際應用中，經常遇到有不止一個芯片要分析的情況。比如某一封裝芯片失效的原因尚不明確，需要去封裝多個失效芯片對其進行試探性的分析。再比如，某一封裝芯片失效的原因基本明確，但需要與參照的未失效芯片的切片結果進行對比，確認是否關鍵尺寸有差異。在這些情況下，就必須對多個封裝芯片進行去封裝。按照現有的方法，需要逐次對多個封裝芯片進行去封裝處理，每次處理耗時在15分鐘以上。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種改進型的多樣品并行去封裝方法，適用的技術節點為＝130nm、90nm、65/55nm、45/40nm、32/28nm、22/20nm、＝16nm，所述并行去封裝方法可以廣泛應用于半導體行業的芯片失效分析，以及其他行業的類似用途。

為了實現上述目的，本發明采取的技術方案為：

一種改進型的多樣品并行去封裝方法，其中，包括：

步驟S1：提供一燒杯，并制備若干隔板薄片；

步驟S2：將若干所述隔板薄片放入所述燒杯的內部，使所述燒杯的內部分隔為若干空間；

步驟S3：將若干待處理芯片分別放入若干所述空間內；

步驟S4：對若干所述待處理芯片同時進行去封裝處理。

上述的改進型的多樣品并行去封裝方法，其中，所述步驟S4包括：

步驟S4.1：向所述燒杯的內部加入去封裝溶劑，并加熱；

步驟S4.2：在若干所述待處理芯片的封裝介質被完全溶解后，將所述燒杯的內部的溶液倒出；

步驟S4.3：取出處理好的芯片。

上述的改進型的多樣品并行去封裝方法，其中，若干所述隔板薄片包括若干第一隔板薄片和若干第二隔板薄片，若干所述第一隔板薄片呈弧形地放置在所述燒杯的內部，若干所述第一隔板薄片的兩端均抵于所述燒杯的側壁。

上述的改進型的多樣品并行去封裝方法，其中，若干所述第二隔板薄片呈半圓形地放置在所述燒杯的內部，若干所述第二隔板薄片放置于兩相鄰的所述第一隔板薄片之間，每一所述第二隔板薄片的兩端均抵于兩所述第一隔板薄片。

上述的改進型的多樣品并行去封裝方法，其中，所述隔板薄片的寬度大于所述燒杯的內徑。

上述的改進型的多樣品并行去封裝方法，其中，所述隔板薄片的高度小于所述燒杯的高度。

上述的改進型的多樣品并行去封裝方法，其中，所述隔板薄片為特氟龍薄片。

上述的改進型的多樣品并行去封裝方法，其中，所述去封裝溶劑為發煙硝酸。

本發明由于采用了上述技術，使之與現有技術相比具有的積極效果是：