[發明專利]一種改進型的多樣品并行去封裝方法有效
| 申請號： | 201810252902.2 | 申請日： | 2018-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN108573903B | 公開（公告）日： | 2020-12-25 |
| 發明（設計）人： | 孫萬峰;雷淑華;徐佳;袁曉亞 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 201200 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改進型 多樣 并行 封裝 方法 | ||
1.一種改進型的多樣品并行去封裝方法，其特征在于，包括：
步驟S1：提供一燒杯，并制備若干隔板薄片；
步驟S2：將若干所述隔板薄片放入所述燒杯的內部，使所述燒杯的內部分隔為若干空間；
步驟S3：將若干待處理芯片分別放入若干所述空間內；
步驟S4：對若干所述待處理芯片同時進行去封裝處理；
若干所述隔板薄片包括若干第一隔板薄片和若干第二隔板薄片，若干所述第一隔板薄片呈弧形地放置在所述燒杯的內部，若干所述第一隔板薄片的兩端均抵于所述燒杯的側壁。
2.根據權利要求1所述改進型的多樣品并行去封裝方法，其特征在于，所述步驟S4包括：
步驟S4.1：向所述燒杯的內部加入去封裝溶劑，并加熱；
步驟S4.2：在若干所述待處理芯片的封裝介質被完全溶解后，將所述燒杯的內部的溶液倒出；
步驟S4.3：取出處理好的芯片。
3.根據權利要求1所述改進型的多樣品并行去封裝方法，其特征在于，若干所述第二隔板薄片呈半圓形地放置在所述燒杯的內部，若干所述第二隔板薄片放置于兩相鄰的所述第一隔板薄片之間，每一所述第二隔板薄片的兩端均抵于兩所述第一隔板薄片。
4.根據權利要求1所述改進型的多樣品并行去封裝方法，其特征在于，所述隔板薄片的寬度大于所述燒杯的內徑。
5.根據權利要求1所述改進型的多樣品并行去封裝方法，其特征在于，所述隔板薄片的高度小于所述燒杯的高度。
6.根據權利要求1所述改進型的多樣品并行去封裝方法，其特征在于，所述隔板薄片為特氟龍薄片。
7.根據權利要求1所述改進型的多樣品并行去封裝方法，其特征在于，所述去封裝溶劑為發煙硝酸。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
