[發(fā)明專(zhuān)利]顯示面板、陣列基板、薄膜晶體管及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810251761.2
• 申請(qǐng)日: 2018-03-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108461403A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊宇桐;黃中浩;王愷;吳旭;周宏儒;王兆君
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/34
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/34;H01L29/786;H01L29/51;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 闞梓瑄;王衛(wèi)忠

本公開(kāi)提供一種顯示面板、陣列基板、薄膜晶體管及薄膜晶體管的制造方法，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。本公開(kāi)的薄膜晶體管的制造方法包括：在一襯底基板上形成柵極；在柵極上形成柵介質(zhì)層；在柵介質(zhì)層上形成氧化物有源層；在氧化物有源層上形成源漏極層；在源漏極層和氧化物有源層上形成鈍化層；其中，柵介質(zhì)層和鈍化層中至少一個(gè)包括金屬氧化物層和絕緣層，且金屬氧化物層與氧化物有源層直接接觸。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種顯示面板、陣列基板、薄膜晶體管及薄膜晶體管的制造方法。

背景技術(shù)

薄膜晶體管(TFT)是一種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通常應(yīng)用于液晶顯示等領(lǐng)域，以液晶面板為例，現(xiàn)有的液晶面板一般包括陣列基板、彩膜基板等，薄膜晶體管是陣列基板中必不可少的控制器件。現(xiàn)有薄膜晶體管通常包括柵極、柵介質(zhì)層、氧化物有源層、源漏極層和鈍化層，源漏極層包括源極和漏極，其中，氧化物有源層的材料通常為IGZO(銦鎵鋅氧化物)等氧化物，柵介質(zhì)層和鈍化層通常為硅的氧化物或氮化物形成單膜層結(jié)構(gòu)。

但是，現(xiàn)有柵介質(zhì)層和鈍化層的介電常數(shù)較低，膜質(zhì)較為疏松，容易形成較多的缺陷，與IGZO等氧化物直接接觸時(shí)，會(huì)大大降低電子遷移率，且對(duì)于H⁺、Na⁺等離子擴(kuò)散阻擋作用較弱，導(dǎo)致電學(xué)不穩(wěn)定性升高。同時(shí)，在采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法制備柵介質(zhì)層和鈍化層時(shí)，氧原子在高溫等離子環(huán)境下容易脫出，使氧空位增多，導(dǎo)致膜質(zhì)導(dǎo)體化嚴(yán)重，使薄膜晶體管發(fā)生閾值電壓漂移或者開(kāi)啟電流變小、漏電流變大等導(dǎo)致電學(xué)特性和穩(wěn)定性變差的現(xiàn)象。

需要說(shuō)明的是，在上述背景技術(shù)部分公開(kāi)的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開(kāi)的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的目的在于提供一種顯示面板、陣列基板、薄膜晶體管及薄膜晶體管的制造方法，能夠提高薄膜晶體管的電學(xué)特性和穩(wěn)定性。

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，一種薄膜晶體管的制造方法，包括：

在一襯底基板上形成柵極；

在所述柵極上形成柵介質(zhì)層；

在所述柵介質(zhì)層上形成氧化物有源層；

在所述氧化物有源層上形成源漏極層；

在所述源漏極層和所述氧化物有源層上形成鈍化層；

其中，所述柵介質(zhì)層和所述鈍化層中至少一個(gè)包括金屬氧化物層和絕緣層，且所述金屬氧化物層與所述氧化物有源層直接接觸。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，形成所述柵介質(zhì)層包括：

在所述柵極上形成第一子介質(zhì)層，所述第一子介質(zhì)層為所述絕緣層；

在所述第一子介質(zhì)層上形成第二子介質(zhì)層，所述第二子介質(zhì)層為所述金屬氧化物層。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，形成所述鈍化層包括：

在所述氧化物有源層和所述源漏極層上形成第一子鈍化層，所述第一子鈍化層為所述金屬氧化物層；

在所述第一子鈍化層上形成第二子鈍化層，所述第二子鈍化層為所述絕緣層。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述金屬氧化物層的材料為鋁、鈦、釔、鋯和鉿的氧化物其中之一。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述金屬氧化物層通過(guò)濺射工藝形成。

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供一種薄膜晶體管，包括：

柵極；

柵介質(zhì)層，設(shè)于所述柵極上；

氧化物有源層，設(shè)于所述柵介質(zhì)層上；