[發(fā)明專利]顯示面板、陣列基板、薄膜晶體管及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810251761.2
• 申請日: 2018-03-26
• 公開（公告）號: CN108461403A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發(fā)明（設計）人: 楊宇桐;黃中浩;王愷;吳旭;周宏儒;王兆君
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L29/786;H01L29/51;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 北京律智知識產(chǎn)權代理有限公司 11438
• 代理人: 闞梓瑄;王衛(wèi)忠

1.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

在一襯底基板上形成柵極；

在所述柵極上形成柵介質(zhì)層；

在所述柵介質(zhì)層上形成氧化物有源層；

在所述氧化物有源層上形成源漏極層；

在所述源漏極層和所述氧化物有源層上形成鈍化層；

其中，所述柵介質(zhì)層和所述鈍化層中至少一個包括金屬氧化物層和絕緣層，且所述金屬氧化物層與所述氧化物有源層直接接觸。

2.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述柵介質(zhì)層包括：

在所述柵極上形成第一子介質(zhì)層，所述第一子介質(zhì)層為所述絕緣層；

在所述第一子介質(zhì)層上形成第二子介質(zhì)層，所述第二子介質(zhì)層為所述金屬氧化物層。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，形成所述鈍化層包括：

在所述氧化物有源層和所述源漏極層上形成第一子鈍化層，所述第一子鈍化層為所述金屬氧化物層；

在所述第一子鈍化層上形成第二子鈍化層，所述第二子鈍化層為所述絕緣層。

4.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金屬氧化物層的材料為鋁、鈦、釔、鋯和鉿的氧化物其中之一。

5.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金屬氧化物層通過濺射工藝形成。

6.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

柵極；

柵介質(zhì)層，設于所述柵極上；

氧化物有源層，設于所述柵介質(zhì)層上；

源漏極層，設于所述氧化物有源層上；

鈍化層，設于所述源漏極層上；

其中，所述柵介質(zhì)層和所述鈍化層中至少一個包括金屬氧化物層和絕緣層，且所述金屬氧化物層與所述氧化物有源層直接接觸。

7.根據(jù)權利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物層的材料為鋁、鈦、釔、鋯和鉿的氧化物其中之一。

8.根據(jù)權利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物層通過濺射工藝形成。

9.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板和陣列分布于所述襯底基板上的多個權利要求6-8任一項所述的薄膜晶體管。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求9所述的陣列基板。