[發明專利]具有限定有源區的線型溝道的半導體裝置

有效

• 申請號: 201810251036.5
• 申請日: 2013-05-21
• 公開（公告）號: CN108538804B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 崔宰福;李圭現;張美貞;崔榮振;許宙永
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L27/02;H01L27/108
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種半導體裝置，包括：

在半導體基板上彼此平行的多個平行溝槽；

在所述半導體基板上彼此平行的多個交叉溝槽；

在所述半導體基板上由所述平行溝槽和所述交叉溝槽限定的多個有源區；

跨過所述有源區的多條下導線；

彼此間隔開的多條上導線，交叉所述下導線并跨過所述有源區；以及

連接到所述有源區的數據存儲元件，其中：

所述平行溝槽和所述交叉溝槽的每個是直線形，

在俯視圖中，所述上導線和所述平行溝槽彼此部分地重疊，并且

所述交叉溝槽交叉所述平行溝槽和所述下導線并與所述平行溝槽形成銳角。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中在所述俯視圖中，所述上導線交叉所述平行溝槽，并且

其中在所述俯視圖中，所述上導線不關于所述平行溝槽成直角。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中在所述俯視圖中，所述上導線的至少一部分與所述平行溝槽形成銳角。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中在所述俯視圖中，所述上導線交叉所述交叉溝槽，并且

其中在所述俯視圖中，所述上導線不關于所述交叉溝槽成直角。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述下導線和所述上導線的每個為直線形，并且

其中所述上導線與所述下導線形成直角。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述交叉溝槽與所述下導線形成銳角。

7.一種半導體裝置，包括：

在半導體基板上彼此平行的第一平行溝槽和第二平行溝槽；

在所述半導體基板上彼此平行的第一交叉溝槽和第二交叉溝槽；

有源區，在所述半導體基板上由所述第一平行溝槽和所述第二平行溝槽以及所述第一交叉溝槽和所述第二交叉溝槽限定；

一對字線，跨過所述有源區并彼此平行；

位線，跨越所述有源區，其中所述位線交叉所述一對字線；

掩埋接觸插塞，與所述位線間隔開并且連接到所述有源區；以及

在所述掩埋接觸插塞上的存儲節點，其中：

所述第一平行溝槽和所述第二平行溝槽以及所述第一交叉溝槽和所述第二交叉溝槽的每個是直線形，

所述第一平行溝槽和所述第二平行溝槽交叉所述位線，并且

所述第一交叉溝槽和所述第二交叉溝槽交叉所述第一平行溝槽和所述第二平行溝槽以及所述一對字線，并與所述第一平行溝槽和所述第二平行溝槽形成銳角。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中在俯視圖中，所述位線的至少一部分與所述第一平行溝槽和所述第二平行溝槽形成銳角。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中在俯視圖中，所述位線的至少一部分與所述第一交叉溝槽和所述第二交叉溝槽形成銳角。

10.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第一平行溝槽和所述第二平行溝槽與所述第一交叉溝槽和所述第二交叉溝槽形成銳角。