[發明專利]一種半導體基材的表面處理方法

在審

• 申請號: 201810249734.1
• 申請日: 2018-03-26
• 公開（公告）號: CN110359017A
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發明（設計）人: 郎鑫濤
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發有限公司
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32;C23C14/06;C23C14/02;C23C16/28;C23C28/04
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

本發明涉及半導體技術領域，公開了一種半導體基材的表面處理方法，首先采用超聲波對半導體基材進行預清洗，以清除半導體基材表面的污跡，然后采用離子束刻蝕預清洗后的半導體基材，以提高半導體基材表面的清潔度，再采用磁控濺射在刻蝕后的半導體基材上沉積硅過渡層，以提高后續工序中類金剛石膜與半導體基材之間的結合性能，接著在沉積硅過渡層后的半導體基材上沉積類金剛石膜，以獲得均勻致密的覆蓋層，最后在沉積類金剛石膜后的半導體基材上摻雜氟，以提高半導體基材的疏水疏油性，從而避免水汽、液體、油污等積聚在半導體基材的表面，從而改善半導體的性能。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種半導體基材的表面處理方法。

背景技術

半導體基材用于承載半導體，其表面的清潔程度影響半導體的性能。目前，一般通過清水清洗半導體基材，但是這種清洗方法只能暫時清潔半導體基材，由于現有的半導體基材一般具有較大的表面張力以及較好的親水性，因此導致使用上述清洗方法后的半導體基材仍然容易受到水汽、液體、油污等的影響，從而影響半導體的性能。

發明內容

本發明的目的是提供一種半導體基材的表面處理方法，其能夠提高半導體基材的疏水疏油性，以避免水汽、液體、油污等積聚在半導體基材的表面，從而改善半導體的性能。

為了解決上述技術問題，本發明提供一種半導體基材的表面處理方法，包括以下步驟：

采用超聲波對半導體基材進行預清洗，預清洗時間為20分鐘；其中，采用異丙醇作為清洗溶劑；

采用離子束刻蝕預清洗后的所述半導體基材；

采用磁控濺射在刻蝕后的所述半導體基材上沉積硅過渡層；其中，靶材為高純度的硅靶材，過渡層厚度為

采用磁過濾真空陰極電弧法在沉積所述硅過渡層后的所述半導體基材上沉積類金剛石膜；

采用射頻化學氣相沉積在所述類金剛石膜上摻雜氟，以四氟化碳為摻雜氣體，流量為80sccm，摻雜時間為15min。

作為優選方案，所述采用磁過濾真空陰極電弧法在刻蝕后的所述半導體基材上沉積類金剛石膜，具體包括以下步驟：

采用高純度的石墨靶材，在沉積過程中以預定速度旋轉所述半導體基材，在陽極施加范圍是-70V到-120V的偏壓。

作為優選方案，所述采用離子束刻蝕預清洗后的所述半導體基材，具體包括以下步驟：

在氬氣氣氛下，利用產生的氬離子束刻蝕所述半導體基材，所述氬離子束的入射角度的范圍為30-45°，所述半導體基材的轉速為30r/s，刻蝕速率約為

作為優選方案，在所述采用磁控濺射在刻蝕后的所述半導體基材上沉積硅過渡層之前，還包括以下步驟：

濺射所述硅靶材100秒，以使所述硅靶材產生的硅離子束穩定。

作為優選方案，所述采用超聲波對半導體基材進行預清洗還包括以下步驟：

在超聲波預清洗結束后，將所述半導體基材自然干燥，干燥時間為1小時。

本發明提供一種半導體基材的表面處理方法，首先采用超聲波對半導體基材進行預清洗，以清除半導體基材表面的污跡，然后采用離子束刻蝕預清洗后的半導體基材，以提高半導體基材表面的清潔度，再采用磁控濺射在刻蝕后的半導體基材上沉積硅過渡層，以提高后續工序中類金剛石膜與半導體基材之間的結合性能，接著在沉積硅過渡層后的半導體基材上沉積類金剛石膜，以獲得均勻致密的覆蓋層，最后在沉積類金剛石膜后的半導體基材上摻雜氟，以提高半導體基材的疏水疏油性，從而避免水汽、液體、油污等積聚在半導體基材的表面，從而改善半導體的性能。

附圖說明

圖1是本發明實施例中的半導體基材的表面處理方法的流程圖；