[發明專利]一種半導體基材的表面處理方法

在審

• 申請號: 201810249734.1
• 申請日: 2018-03-26
• 公開（公告）號: CN110359017A
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發明（設計）人: 郎鑫濤
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發有限公司
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32;C23C14/06;C23C14/02;C23C16/28;C23C28/04
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

1.一種半導體基材的表面處理方法，其特征在于，包括以下步驟：

采用超聲波對半導體基材進行預清洗，預清洗時間為20分鐘；其中，采用異丙醇作為清洗溶劑；

采用離子束刻蝕預清洗后的所述半導體基材；

采用磁控濺射在刻蝕后的所述半導體基材上沉積硅過渡層；其中，靶材為高純度的硅靶材，過渡層厚度為

采用磁過濾真空陰極電弧法在沉積所述硅過渡層后的所述半導體基材上沉積類金剛石膜；

采用射頻化學氣相沉積在所述類金剛石膜上摻雜氟，以四氟化碳為摻雜氣體，流量為80sccm，摻雜時間為15min。

2.如權利要求1所述的半導體基材的表面處理方法，其特征在于，所述采用磁過濾真空陰極電弧法在沉積所述硅過渡層后的所述半導體基材上沉積類金剛石膜，具體包括以下步驟：

采用高純度的石墨靶材，在沉積過程中以預定速度旋轉所述半導體基材，在陽極施加范圍是-70V到-120V的偏壓。

3.如權利要求1所述的半導體基材的表面處理方法，其特征在于，所述采用離子束刻蝕預清洗后的所述半導體基材，具體包括以下步驟：

在氬氣氣氛下，利用產生的氬離子束刻蝕所述半導體基材，所述氬離子束的入射角度的范圍為30-45°，所述半導體基材的轉速為30r/s，刻蝕速率約為

4.如權利要求1-3任一項所述的半導體基材的表面處理方法，其特征在于，在所述采用磁控濺射在刻蝕后的所述半導體基材上沉積硅過渡層之前，還包括以下步驟：

濺射所述硅靶材100秒，以使所述硅靶材產生的硅離子束穩定。

5.如權利要求1-3任一項所述的半導體基材的表面處理方法，其特征在于，所述采用超聲波對半導體基材進行預清洗還包括以下步驟：

在超聲波預清洗結束后，將所述半導體基材自然干燥，干燥時間為1小時。