[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示面板、顯示裝置

在審

• 申請號: 201810247365.2
• 申請日: 2018-03-23
• 公開（公告）號: CN108470718A
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發明（設計）人: 付方彬;郭會斌;白金超;王守坤;韓皓;賈宜訸;宋勇志
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 楊廣宇

本發明公開了一種陣列基板及其制造方法、顯示面板、顯示裝置，屬于顯示技術領域。所述方法包括：在襯底基板上形成金屬層；在所述金屬層遠離所述襯底基板的一側形成用于保護所述金屬層的保護層；在所述保護層遠離所述襯底基板的一側形成光刻膠；采用光刻工藝對形成有所述金屬層、所述保護層和所述光刻膠的襯底基板進行處理，得到金屬圖案。本發明通過在金屬層和光刻膠之間形成保護層，保證了最終形成的金屬圖案的導電性能。本發明用于制造陣列基板。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示面板、顯示裝置。

背景技術

顯示面板中的陣列基板上一般設置有多個陣列排布的像素單元，每個像素單元分別與陣列基板上設置的柵線和數據線連接。每個像素單元包括一個薄膜晶體管(Thin FilmTransistor，TFT)，每個TFT包括柵極圖案、有源層圖案以及源漏極圖案。其中，柵線、數據線、柵極圖案以及源漏極圖案一般為由金屬材料形成的金屬圖案。

相關技術中，通常采用光刻工藝形成陣列基板中的金屬圖案，在形成過程中，需要先在襯底基板上形成金屬層，然后再對該金屬層依次進行光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離等操作，以得到該金屬圖案。其中光刻膠剝離一般采用干法刻蝕的方式進行剝離。

但是，采用干法刻蝕的方式剝離光刻膠時，該光刻膠可能與金屬層發生反應，影響最終形成的金屬圖案的導電性能。

發明內容

本發明實施例提供了一種陣列基板及其制造方法、顯示面板、顯示裝置。解決了現有技術中在采用干法刻蝕剝離光刻膠時，由于光刻膠與金屬層發生反應，從而影響最終形成的金屬圖案的導電性能的問題，所述技術方案如下：

第一方面，提供了一種陣列基板的制造方法，所述方法包括：

在襯底基板上形成金屬層；

在所述金屬層遠離所述襯底基板的一側形成用于保護所述金屬層的保護層；

在所述保護層遠離所述襯底基板的一側形成光刻膠；

采用光刻工藝對形成有所述金屬層、所述保護層和所述光刻膠的襯底基板進行處理，得到金屬圖案。

可選的，所述金屬圖案為源漏極金屬圖案；所述在襯底基板上形成金屬層之前，所述方法還包括：

在所述襯底基板上形成有源層。

可選的，所述在襯底基板上形成金屬層，包括：

在所述有源層遠離所述襯底基板的一側形成所述金屬層。

可選的，形成所述保護層的材料為透明的絕緣材料，且所述絕緣材料不與用于形成所述金屬層的金屬材料反應。

可選的，形成所述金屬層的金屬材料為銅。

可選的，形成所述保護層的材料為氮化硅或者二氧化硅。

可選的，所述在所述金屬層遠離所述襯底基板的一側形成用于保護所述金屬層的保護層，包括：

采用磁控濺射的方式在所述金屬層遠離所述襯底基板的一側形成保護層。

可選的，所述采用光刻工藝對形成有所述金屬層、所述保護層和所述光刻膠的襯底基板進處理，得到金屬圖案，包括：

對所述光刻膠進行曝光處理，得到光刻膠圖案；

采用干法刻蝕的方式去除所述保護層中未被所述光刻膠圖案覆蓋的部分；

采用濕法刻蝕的方式去除所述金屬層中未被所述光刻膠圖案覆蓋的部分；

采用干法刻蝕的方式去除所述光刻膠圖案得到所述金屬圖案。