[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法、顯示面板、顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810247365.2
• 申請日: 2018-03-23
• 公開（公告）號: CN108470718A
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 付方彬;郭會斌;白金超;王守坤;韓皓;賈宜訸;宋勇志
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 楊廣宇

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底基板上形成金屬層；

在所述金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成用于保護(hù)所述金屬層的保護(hù)層；

在所述保護(hù)層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成光刻膠；

采用光刻工藝對形成有所述金屬層、所述保護(hù)層和所述光刻膠的襯底基板進(jìn)行處理，得到金屬圖案。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬圖案為源漏極金屬圖案；所述在襯底基板上形成金屬層之前，所述方法還包括：

在所述襯底基板上形成有源層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成金屬層，包括：

在所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成所述金屬層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

形成所述保護(hù)層的材料為透明的絕緣材料，且所述絕緣材料不與用于形成所述金屬層的金屬材料反應(yīng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，

形成所述金屬層的金屬材料為銅。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，

形成所述保護(hù)層的材料為氮化硅或者二氧化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述在所述金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成用于保護(hù)所述金屬層的保護(hù)層，包括：

采用磁控濺射的方式在所述金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成保護(hù)層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述采用光刻工藝對形成有所述金屬層、所述保護(hù)層和所述光刻膠的襯底基板進(jìn)處理，得到金屬圖案，包括：

對所述光刻膠進(jìn)行曝光處理，得到光刻膠圖案；

采用干法刻蝕的方式去除所述保護(hù)層中未被所述光刻膠圖案覆蓋的部分；

采用濕法刻蝕的方式去除所述金屬層中未被所述光刻膠圖案覆蓋的部分；

采用干法刻蝕的方式去除所述光刻膠圖案得到所述金屬圖案。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述金屬圖案為源漏極金屬圖案；所述在襯底基板上形成金屬層之前，所述方法還包括：

在所述襯底基板上形成有源層；

所述對所述光刻膠進(jìn)行曝光處理，得到光刻膠圖案，包括：

采用具有半透光區(qū)域的掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光處理，得到光刻膠圖案，所述光刻膠圖案中還包括半曝光部分；

在采用干法刻蝕的方式去除所述光刻膠圖案，得到所述金屬圖案之前，所述方法還包括：

采用干法刻蝕的方式去除所述有源層中未被所述光刻膠圖案覆蓋的部分，所述光刻膠圖案中的半曝光部分，以及剩余的所述保護(hù)層中被所述半曝光部分覆蓋的部分；

采用濕法刻蝕的方式去除剩余的所述金屬層中未被剩余的所述光刻膠圖案覆蓋的部分；

采用干法刻蝕的方式，在剩余的所述有源層中未被剩余的所述光刻膠圖案覆蓋的部分形成凹槽。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，在采用光刻工藝對形成有所述金屬層、所述保護(hù)層和所述光刻膠的襯底基板進(jìn)行處理，得到金屬圖案之后，所述金屬圖案遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)還形成有保護(hù)層圖案，所述方法還包括：

在所述保護(hù)層圖案遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成鈍化層；

其中，形成所述鈍化層的材料與形成所述保護(hù)層的材料相同。

11.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

襯底基板；

所述襯底基板上設(shè)置有金屬圖案；

所述金屬圖案遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)設(shè)置有用于保護(hù)所述金屬圖案的保護(hù)層圖案，所述保護(hù)層圖案與所述金屬圖案在所述襯底基板上的正投影重合。