[發明專利]一種顆粒及其制備方法

在審

• 申請號: 201810246116.1
• 申請日: 2018-03-23
• 公開（公告）號: CN110295039A
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: 鄧承雨;楊一行;錢磊;謝相偉
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/66;C09K11/06;B82Y20/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明涉及一種顆粒及其制備方法，所述顆粒包括核和包覆所述核的殼層，其中，所述核為第一過渡系d區金屬離子摻雜的鈣鈦礦量子點，所述殼層材料的禁帶寬度大于所述核的材料的禁帶寬度。采用該方法制備得到的顆粒作為發光層材料，可以解決在示器件工作過程中，減少由于能量傳遞和再吸收導致的熒光猝滅，發光效率偏低，器件穩定較差的問題等問題。該發明方法易于制備，重復性好，可較好的克服器件工作中溫度升高導致顯示器件發光猝滅的問題。

技術領域

本發明涉及量子點發光領域，尤其涉及一種顆粒及其制備方法。

背景技術

近幾年來，鈣鈦礦量子點由于具有尺寸、組分可調諧的光電子性質和可溶液加工等優點，發展十分迅猛，已經成為“量子點家族”中的不可或缺的新成員。鈣鈦礦量子點材料生物化學性能上也有著無可比擬的特性：如良好的生物兼容性，低細胞毒性。這些優越的性質使得鈣鈦礦量子點材料在顯示、照明、光學檢測等領域中具有廣泛應用前景。

然而單純以現階段所合成出的鈣鈦礦量子點做成顯示器件后，在高溫工作環境中會使量子點內部載流子運動速率變慢，從而被鈣鈦礦量子點表面缺陷態大量俘獲，因此普遍存在高溫下量子發光效率偏低，器件遇高溫后熱穩定較差等缺點，影響其在顯示器件中的性能。

發明內容

本發明的目的在于提供一種顆粒及其制備方法，旨在解決鈣鈦礦量子點做成顯示器件后，發光效率偏低，器件穩定較差的問題。

為實現上述發明目的，本發明首先提供一種顆粒，包括核和包覆所述核的殼層，其中，所述核為第一過渡系d區金屬離子摻雜的鈣鈦礦量子點，所述殼層材料的禁帶寬度大于所述核的材料的禁帶寬度。

本發明將第一過渡系d區金屬離子摻雜到鈣鈦礦量子點核中，并且采用禁帶寬度大于所述核材料的禁帶寬度的材料作為殼層，一方面，第一過渡系d區金屬離子摻雜到鈣鈦礦量子點核中，提高量子點內部載流子運動速率，減少由于能量傳遞和再吸收導致的熒光猝滅；另一方面采用殼層材料對鈣鈦礦量子點核進行包覆可以鈍化鈣鈦礦量子點核表面缺陷，減少表面缺陷態對載流子的捕獲；再一方面，采用禁帶寬度更大的殼層材料對鈣鈦礦量子點核材料進行包覆，做為顯示器件的發光材料，可以使量子點核中的載流子與殼層材料中的激子充分復合，提高發光效率；并且由于外殼層的帶隙能量與第一過渡系d區金屬離子內部的d-d躍遷的能量相差巨大產生大的斯托克斯位移,由此，可選擇比發射峰波長低100-150 nm的光作為激發，有效避免了激發光對發射信號的干擾，所得的發射光譜半峰寬較窄，色域寬，色純度高。

為實現本發明的目的，本發明還提供一種顆粒的制備方法，其中，包括如下步驟：

提供鈣鈦礦量子點核；

將所述鈣鈦礦量子點核與第一過渡系d區金屬離子前驅體溶液混合，加熱后制備得到第一過渡系d區金屬離子摻雜的鈣鈦礦量子點核；

在所述第一過渡系d區金屬離子摻雜的鈣鈦礦量子點核表面生長殼層，得到所述顆粒。

采用該方法制備得到的顆粒作為發光層材料，可以解決在示器件工作過程中，減少由于能量傳遞和再吸收導致的熒光猝滅，發光效率偏低，器件穩定較差的問題等問題。該發明方法易于制備，重復性好，可較好的克服器件工作中溫度升高導致顯示器件發光猝滅的問題。

具體實施方式

為了便于理解本發明，下面將對本發明進行更全面的描述，并給出了本發明的較佳實施例。但是，本發明可以以許多不同的形式來實現，并不限于本文所描述的實施例。提供這些實施例的目的是使對本發明的公開內容的理解更加透徹全面。