[發明專利]一種顆粒及其制備方法在審
| 申請號： | 201810246116.1 | 申請日： | 2018-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN110295039A | 公開（公告）日： | 2019-10-01 |
| 發明（設計）人： | 鄧承雨;楊一行;錢磊;謝相偉 | 申請（專利權）人： | TCL集團股份有限公司 |
| 主分類號： | C09K11/02 | 分類號： | C09K11/02;C09K11/66;C09K11/06;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 禁帶 金屬離子摻雜 器件工作過程 發光層材料 發光效率 發光猝滅 殼層材料 能量傳遞 顯示器件 鈣鈦礦 量子點 再吸收 熒光 包覆 殼層 猝滅 | ||
1.一種顆粒，包括核和包覆所述核的殼層，其特征在于，所述核為第一過渡系d區金屬離子摻雜的鈣鈦礦量子點，所述殼層材料的禁帶寬度大于所述核的材料的禁帶寬度。
2.根據權利要求1所述的顆粒，其特征在于，所述第一過渡系d區金屬離子為錳離子或鐵離子。
3.根據權利要求1所述的顆粒，其特征在于，所述核中，所述第一過渡系d區金屬離子與鈣鈦礦量子點的摩爾百分比為20-35%。
4.根據權利要求1所述的顆粒，其特征在于，所述殼層的材料為II-VI族半導體材料；
所述殼層的厚度為6-12nm。
5.一種顆粒的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供鈣鈦礦量子點核；
將所述鈣鈦礦量子點核與第一過渡系d區金屬離子前驅體溶液混合，加熱后制備得到第一過渡系d區金屬離子摻雜的鈣鈦礦量子點核；
在所述第一過渡系d區金屬離子摻雜的鈣鈦礦量子點核表面生長殼層，得到所述顆粒。
6.根據權利要求5所述顆粒的制備方法，其特征在于，所述第一過渡系d區金屬離子前驅體溶液中，第一過渡系d區金屬離子前驅體為錳離子前驅體或鐵離子前驅體。
7.根據權利要求5所述顆粒的制備方法，其特征在于，所述第一過渡系d區金屬離子前驅體溶液通過如下方法制備得到：
提供脂肪酸的醇溶液，
向所述脂肪酸的醇溶液中加入堿和第一過渡系d區金屬鹽，混合得到第一過渡系d區金屬離子前驅體溶液。
8.根據權利要求5所述顆粒的制備方法，其特征在于，按第一過渡系d區金屬離子前驅體中的金屬離子與鈣鈦礦量子點的的摩爾比為1:1-12:1，將所述鈣鈦礦量子點核與第一過渡系d區金屬離子前驅體溶液混合。
9.根據權利要求5所述顆粒的制備方法，其特征在于，將所述鈣鈦礦量子點核與第一過渡系d區金屬離子前驅體溶液混合，在250-300℃條件下加熱，制備得到第一過渡系d區金屬離子摻雜的鈣鈦礦量子點核。
10.根據權利要求5所述顆粒的制備方法，其特征在于，所述殼層的材料為II-VI族半導體材料。
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