[發(fā)明專利]攝像裝置及照相機系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810244783.6 | 申請日: | 2018-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN108807434A | 公開(公告)日: | 2018-11-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 平瀨順?biāo)?/a>;村上雅史 | 申請(專利權(quán))人: | 松下知識產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 漏極 源極 像素電極 電壓供給電路 復(fù)位晶體管 光電變換部 對置電極 攝像裝置 限幅電壓 像素 反饋晶體管 放大晶體管 照相機系統(tǒng) 高密度化 光電變換 柵極連接 電荷 高電壓 施加 | ||
提供一種能夠?qū)怆娮儞Q部施加高電壓并且能夠得到高密度化高特性的攝像裝置。具備像素和第1電壓供給電路;像素包括:光電變換部,包括像素電極、對置電極、和位于兩者之間將光變換為電荷的光電變換膜;放大晶體管,具有第1源極、第1漏極及第1柵極,第1柵極連接于像素電極;復(fù)位晶體管,具有第2源極、第2漏極及第2柵極,第2源極及第2漏極的一方被連接到像素電極;反饋晶體管,具有第3源極及第3漏極,第3源極及第3漏極的一方被連接到第2源極及第2漏極的另一方;第1電壓供給電路向?qū)χ秒姌O供給第1電壓;如果在第2源極及第2漏極的一方與第2柵極之間供給限幅電壓以上的電壓則復(fù)位晶體管關(guān)閉;限幅電壓比第1電壓小。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及攝像裝置。本公開特別涉及具有包括層疊在半導(dǎo)體基板上的光電變換膜的光電變換部的攝像裝置。
背景技術(shù)
作為MOS(Metal Oxide Semiconductor:金屬氧化物半導(dǎo)體)型的攝像裝置,提出了層疊型的攝像裝置。在層疊型的攝像裝置中,在半導(dǎo)體基板的表面層疊光電變換膜,將在光電變換膜內(nèi)通過光電變換產(chǎn)生的電荷儲存到電荷儲存區(qū)域中。電荷儲存區(qū)域被稱作“浮動擴散”。攝像裝置使用形成在半導(dǎo)體基板上的CCD(Charge Coupled Device:電荷耦合器件)電路或 CMOS(Complementary MOS:互補金屬氧化物半導(dǎo)體)電路將該儲存的電荷讀出。例如專利文獻1公開了這樣的攝像裝置。
專利文獻1:日本特開2009-164604號公報
發(fā)明內(nèi)容
要求更高動態(tài)范圍的攝像裝置。
作為本公開之一的攝像裝置,具備像素和第1電壓供給電路;所述像素包括:光電變換部,包括像素電極、對置于上述像素電極的對置電極、和位于上述對置電極與上述像素電極之間并將光變換為電荷的光電變換膜;放大晶體管,具有第1源極、第1漏極及第1柵極,上述第1柵極連接到上述像素電極;復(fù)位晶體管,具有第2源極、第2漏極及第2柵極,上述第2源極及上述第2漏極中的一方連接到上述像素電極;以及反饋晶體管,具有第3源極及第3漏極,上述第3源極及上述第3漏極中的一方連接到上述第2源極及上述第2漏極中的另一方;所述第1電壓供給電路向上述對置電極供給第1電壓;上述復(fù)位晶體管具有如下特性:如果在上述第2源極及上述第2漏極中的上述一方與上述第2柵極之間供給限幅電壓以上的電壓,則上述復(fù)位晶體管成為關(guān)閉;上述限幅電壓比上述第1電壓小。
根據(jù)本公開的一技術(shù)方案,能夠?qū)崿F(xiàn)高動態(tài)范圍的攝像裝置。
附圖說明
圖1是示意地表示有關(guān)實施方式1的攝像裝置的例示性的電路結(jié)構(gòu)的圖。
圖2是表示有關(guān)實施方式1的像素的例示性的電路結(jié)構(gòu)的圖。
圖3是示意地表示有關(guān)實施方式1的像素的設(shè)備構(gòu)造的剖面圖。
圖4是用來說明有關(guān)實施方式1的第一模式下的晶體管的動作的一例的時序圖。
圖5是用來說明有關(guān)實施方式1的第二模式下的晶體管的動作的一例的時序圖。
圖6是在電路圖上示意地表示有關(guān)實施方式1的作為比較高電壓的區(qū)和沒有達到高電壓的區(qū)的圖。
圖7是表示有關(guān)實施方式1的復(fù)位晶體管的反偏壓效應(yīng)的圖。
圖8是用來說明有關(guān)實施方式1的攝像裝置的例示性的制造方法的示意性的剖面圖。
圖9是用來說明有關(guān)實施方式1的攝像裝置的例示性的制造方法的示意性的剖面圖。
圖10是用來說明有關(guān)實施方式1的攝像裝置的例示性的制造方法的示意性的剖面圖。
圖11是表示有關(guān)實施方式2的使用像素內(nèi)反饋的像素的例子的電路結(jié)構(gòu)的圖。
圖12是示意地表示使用MIM的像素的設(shè)備構(gòu)造的另一例的剖面圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





