[發(fā)明專(zhuān)利]攝像裝置及照相機(jī)系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810244783.6
• 申請(qǐng)日: 2018-03-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108807434A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 平瀨順?biāo)?/a>;村上雅史
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/146;H04N5/335
• 代理公司: 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種攝像裝置，其特征在于，

具備像素和第1電壓供給電路；

所述像素包括：

光電變換部，包括像素電極、對(duì)置于上述像素電極的對(duì)置電極、和位于上述對(duì)置電極與上述像素電極之間并將光變換為電荷的光電變換膜；

放大晶體管，具有第1源極、第1漏極及第1柵極，上述第1柵極連接到上述像素電極；

復(fù)位晶體管，具有第2源極、第2漏極及第2柵極，上述第2源極及上述第2漏極中的一方連接到上述像素電極；以及

反饋晶體管，具有第3源極及第3漏極，上述第3源極及上述第3漏極中的一方連接到上述第2源極及上述第2漏極中的另一方；

所述第1電壓供給電路向上述對(duì)置電極供給第1電壓；

上述復(fù)位晶體管具有如下特性：如果在上述第2源極及上述第2漏極中的上述一方與上述第2柵極之間供給限幅電壓以上的電壓，則上述復(fù)位晶體管成為關(guān)閉；

上述限幅電壓比上述第1電壓小。

2.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其特征在于，

具備對(duì)上述放大晶體管的上述第1源極及第1漏極中的一方供給第2電壓的第2電壓供給電路；

上述限幅電壓比上述第2電壓小。

3.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其特征在于，

上述反饋晶體管具有第1柵極絕緣膜和位于上述第1柵極絕緣膜之上的第1柵極電極；

上述復(fù)位晶體管具有第2柵極絕緣膜和位于上述第2柵極絕緣膜之上的第2柵極電極；

上述第1柵極絕緣膜的有效膜厚比上述第2柵極絕緣膜的有效膜厚小。

4.如權(quán)利要求3所述的攝像裝置，其特征在于，

上述第1柵極絕緣膜的有效膜厚是上述第2柵極絕緣膜的有效膜厚的80％以下。

5.如權(quán)利要求4所述的攝像裝置，其特征在于，

上述第1柵極絕緣膜的有效膜厚是上述第2柵極絕緣膜的有效膜厚的50％以下。

6.如權(quán)利要求5所述的攝像裝置，其特征在于，

上述第1柵極絕緣膜的有效膜厚是上述第2柵極絕緣膜的有效膜厚的30％以上。

7.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的攝像裝置，其特征在于，

上述像素具備：連接在上述復(fù)位晶體管的上述第2源極與上述第2漏極之間的第1電容元件；和連接到上述復(fù)位晶體管的上述第2源極及上述第2漏極中的上述另一方的第2電容元件；

上述第2電容元件具備第1電極、與上述第1電極對(duì)置的第2電極、和位于上述第1電極及上述第2電極之間的電介體層；

上述電介體層的有效膜厚比上述第2柵極絕緣膜的有效膜厚小。

8.如權(quán)利要求7所述的攝像裝置，其特征在于，

上述電介體層的有效膜厚比上述第1柵極絕緣膜的有效膜厚小。

9.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其特征在于，

具備：

第1布線，連接到上述復(fù)位晶體管的上述第2源極及上述第2漏極中的上述另一方，并被施加第3電壓；

第2布線，與上述第1布線鄰接，被施加與上述第3電壓不同的第4電壓；

第3布線，將上述像素電極與上述第1柵極連接；以及

第4布線，與上述第3布線鄰接；

上述第1布線與上述第2布線的間隔，比上述第3布線與上述第4布線的間隔小。

10.一種照相機(jī)系統(tǒng)，其特征在于，具備：

權(quán)利要求1所述的攝像裝置；

透鏡光學(xué)系統(tǒng)，使上述攝像裝置成像；以及

照相機(jī)信號(hào)處理部，處理從上述攝像裝置輸出的信號(hào)。