[發明專利]晶圓保持裝置及晶圓裝卸方法有效
| 申請號: | 201810244649.6 | 申請日: | 2018-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN108630593B | 公開(公告)日: | 2023-03-31 |
| 發明(設計)人: | 佐藤文昭;筱塚正光;廣川卓 | 申請(專利權)人: | 住友重機械離子科技株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 任玉敏 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保持 裝置 裝卸 方法 | ||
本發明提供一種在解除晶圓的固定時減少晶圓的位置偏離的技術。晶圓保持裝置(52)具備:晶圓卡盤(53),其具有與待保持的晶圓(W)接觸的晶圓保持面(60),并在晶圓保持面(60)上設置有多個吸附區域(C1、C2);及控制部(70),構成為獨立地控制多個吸附區域(C1、C2)的各自的吸附力。控制部(70)在解除晶圓的固定的情況下,設為使多個吸附區域(C1、C2)中的一部分吸附區域的吸附力小于固定晶圓時的吸附力的臨時固定狀態之后,將多個吸附區域(C1、C2)的所有吸附區域的吸附力設為小于固定晶圓時的吸附力。
技術領域
本申請主張基于2017年3月24日申請的日本專利申請第2017-059486號的優先權。該申請的所有內容通過參考援用于本說明書中。
本發明涉及一種晶圓保持裝置及晶圓裝卸方法。
背景技術
在半導體制造工序中,使用用于將半導體晶圓保持在真空容器內的晶圓保持裝置,例如,使用利用靜電力的靜電卡盤。當真空容器內的處理結束并解除半導體晶圓的固定時,去除殘留于晶圓上的電荷并且降低晶圓與卡盤之間的靜電力(參考專利文獻1)。
專利文獻1:日本特開2010-10477號公報
氣體可能會滯留在固定中的晶圓與晶圓卡盤之間。例如,從保護晶圓的背面的樹脂膜釋放的氣體和用于冷卻或加熱晶圓的傳熱用氣體能夠存在于晶圓與卡盤之間。當在真空容器內固定有晶圓時,滯留在晶圓與卡盤之間的氣體對晶圓賦予使晶圓從卡盤分離方向的力。在該種情況下,若降低晶圓與卡盤之間的吸附力,則因氣體的膨脹力晶圓有可能在卡盤上彈起而導致晶圓位置的偏離。當晶圓的位置偏離較大時,無法使用傳送機器人等從真空容器內搬出晶圓,因此為了取出晶圓必須停止處理裝置。
發明內容
本發明是鑒于該種情況而完成,其目的在于提供一種在解除晶圓的固定時減少晶圓的位置偏離的技術。
本發明的一態樣的晶圓保持裝置具備:晶圓卡盤,其具有與待保持的晶圓接觸的晶圓保持面,并在晶圓保持面上設置有多個吸附區域;及控制部,構成為獨立地控制多個吸附區域的各自的吸附力。控制部在解除晶圓的固定的情況下,設為使多個吸附區域中的一部分吸附區域的吸附力小于固定晶圓時的吸附力的臨時固定狀態之后,將多個吸附區域的所有吸附區域的吸附力設為小于固定晶圓時的吸附力。
本發明的另一態樣為使用晶圓卡盤的晶圓裝卸方法。晶圓卡盤具有與待保持的晶圓接觸的晶圓保持面,并在晶圓保持面上設置有多個吸附區域。該方法中,當解除晶圓的固定時,設為使多個吸附區域中的一部分吸附區域的吸附力小于固定晶圓時的吸附力的臨時固定狀態之后,將多個吸附區域的所有吸附區域的吸附力設為小于固定晶圓時的吸附力。
另外,在方法、裝置、系統等之間相互替換以上構成要素的任意組合和本發明的構成要素和表達也作為本發明的方式是有效的。
發明效果
根據本發明,能夠減少解除晶圓固定時的晶圓的位置偏離。
附圖說明
圖1是表示實施方式所涉及的離子注入裝置的概略結構的頂視圖。
圖2是表示圖1的離子注入裝置的概略結構的側視圖。
圖3是示意地表示晶圓保持裝置的結構的剖視圖。
圖4是示意地表示晶圓保持裝置的結構的頂視圖。
圖5是表示施加到多個電極結構的電壓的一例的圖表。
圖6是示意地表示變形例所涉及的晶圓保持裝置的結構的頂視圖。
圖7是示意地表示變形例所涉及的晶圓保持裝置的結構的頂視圖。
圖8是示意地表示變形例所涉及的晶圓保持裝置的結構的頂視圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于住友重機械離子科技株式會社,未經住友重機械離子科技株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810244649.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





