[發明專利]晶圓保持裝置及晶圓裝卸方法有效
| 申請號: | 201810244649.6 | 申請日: | 2018-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN108630593B | 公開(公告)日: | 2023-03-31 |
| 發明(設計)人: | 佐藤文昭;筱塚正光;廣川卓 | 申請(專利權)人: | 住友重機械離子科技株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 任玉敏 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保持 裝置 裝卸 方法 | ||
1.一種晶圓保持裝置,其特征在于,具備:
晶圓卡盤,其具有與待保持的晶圓接觸的晶圓保持面,并在所述晶圓保持面上設置有多個吸附區域;及
控制部,構成為獨立地控制所述多個吸附區域中的各自的吸附力,
所述控制部在解除所述晶圓的固定的情況下,設為使所述多個吸附區域中的一部分吸附區域的吸附力小于固定晶圓時的吸附力的臨時固定狀態、并維持所述臨時固定狀態以使存在于所述晶圓與所述一部分吸附區域之間的氣體排出到外部之后,將所述多個吸附區域的所有吸附區域的吸附力設為小于固定晶圓時的吸附力。
2.根據權利要求1所述的晶圓保持裝置,其特征在于,
所述控制部將所述臨時固定狀態維持0.1秒以上且10秒以下的時間。
3.根據權利要求1或2所述的晶圓保持裝置,其特征在于,
所述控制部根據與所述晶圓相關的條件來改變維持所述臨時固定狀態的時間。
4.根據權利要求1或2所述的晶圓保持裝置,其特征在于,
所述控制部在所述臨時固定狀態下,將與所述一部分吸附區域不同的吸附區域的吸附力維持為固定晶圓時的吸附力。
5.根據權利要求1或2所述的晶圓保持裝置,其特征在于,
所述控制部在所述臨時固定狀態下,依次切換設為小于固定晶圓時的吸附力的所述一部分吸附區域。
6.根據權利要求5所述的晶圓保持裝置,其特征在于,
在所述臨時固定狀態下,所述控制部防止所述多個吸附區域的所有吸附區域同時成為小于固定晶圓時的吸附力,并依次切換設為小于固定晶圓時的吸附力的所述一部分吸附區域。
7.一種晶圓保持裝置,其特征在于,具備:
晶圓卡盤,其具有與待保持的晶圓接觸的晶圓保持面,并在所述晶圓保持面上設置有多個吸附區域;及
控制部,構成為獨立地控制所述多個吸附區域中的各自的吸附力,
所述多個吸附區域包括第1吸附區域和第2吸附區域,
當解除所述晶圓的固定時,所述控制部設成在將所述第1吸附區域設為固定晶圓時的吸附力的狀態下使所述第2吸附區域的吸附力小于固定晶圓時的第1臨時固定狀態之后,設成在將所述第2吸附區域的吸附力設為固定晶圓時的吸附力的狀態下使所述第1吸附區域的吸附力小于固定晶圓時的第2臨時固定狀態,之后,將所述多個吸附區域的所有吸附區域的吸附力設為小于固定晶圓時的吸附力。
8.根據權利要求7所述的晶圓保持裝置,其特征在于,
所述控制部交替地反復執行所述第1臨時固定狀態和所述第2臨時固定狀態。
9.根據權利要求7或8所述的晶圓保持裝置,其特征在于,
所述控制部在所述第1臨時固定狀態與所述第2臨時固定狀態之間的時機,使所述第1吸附區域及所述第2吸附區域這兩者返回到固定晶圓時的吸附力。
10.根據權利要求7或8所述的晶圓保持裝置,其特征在于,
所述控制部根據與所述晶圓相關的條件來改變所述第1臨時固定狀態與所述第2臨時固定狀態的各自的維持時間及執行次數中的至少一者。
11.根據權利要求3或10所述的晶圓保持裝置,其特征在于,
與所述晶圓相關的條件依賴于所述晶圓的固定時間、投入到所述晶圓的熱量、所述晶圓的與所述晶圓保持面接觸的面的材料、所述晶圓的重量及所述晶圓的厚度中的至少一個。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





