[發明專利]加工方法在審
| 申請號: | 201810239578.0 | 申請日: | 2018-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN108695145A | 公開(公告)日: | 2018-10-23 |
| 發明(設計)人: | 竹之內研二 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 龐東成;褚瑤楊 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 被加工物 切斷預定線 層疊體 切削 加工 激光加工步驟 激光加工槽 板狀 氧化劑 金屬 切削刀具 激光束 切削液 吸收性 有機酸 工作臺 波長 背面 照射 | ||
本發明提供一種加工方法,在對與切斷預定線重疊地形成有包含金屬的層疊體的板狀的被加工物進行加工時,能夠在維持加工品質的同時提高加工速度。其對在表面側具有與切斷預定線重疊地形成的包含金屬的層疊體的板狀的被加工物進行加工,包括:保持步驟,利用保持工作臺對被加工物的表面側進行保持;激光加工步驟,在實施保持步驟后,在被加工物的背面沿著切斷預定線照射相對于被加工物具有吸收性的波長的激光束,形成未到達層疊體的激光加工槽;切削步驟,在實施激光加工步驟后,利用切削刀具對激光加工槽的底部進行切削,將被加工物與層疊體一起沿著切斷預定線切斷,在切削步驟中,一邊對被加工物供給包含有機酸和氧化劑的切削液,一邊執行切削。
技術領域
本發明涉及用于對與切斷預定線重疊地形成有包含金屬的層疊體的板狀的被加工物進行加工的加工方法。
背景技術
在以移動電話、個人計算機為代表的電子設備中,具備電子電路等器件的器件芯片成為了必要的構成要素。器件芯片例如如下得到:利用兩條以上的切斷預定線(間隔道)對由硅等半導體材料形成的晶片的表面進行劃分,在各區域形成器件后,沿著該切斷預定線將晶片切斷,由此得到器件芯片。
近年來,大多在上述那樣的晶片的切斷預定線上配置被稱為TEG(Test ElementsGroup,測試元件組)的評價用元件(參見例如專利文獻1、2等),用于評價器件的電特性。通過在切斷預定線上配置TEG,能夠最大限度地確保器件芯片的取得數,并且能夠與晶片的切斷同時除去評價后不需要的TEG。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開平6-349926號公報
專利文獻2:日本特開2005-21940號公報
發明內容
發明所要解決的課題
但是,若要使用磨粒分散于結合材料中而成的切削刀具對TEG之類的包含金屬的層疊體進行切削、除去,則層疊體所含的金屬在切削時伸長,容易產生被稱為毛刺的突起。并且,若利用切削刀具進行的加工的速度提高,放熱量增加,則毛刺也變大。因此,在該方法中,需要將加工速度抑制得較低,使得加工品質不降低。
本發明是鑒于上述問題而完成的,其目的在于提供一種加工方法,該加工方法在對與切斷預定線重疊地形成有包含金屬的層疊體的板狀的被加工物進行加工時,能夠在維持加工品質的同時提高加工速度。
用于解決課題的手段
根據本發明的一個方式,提供一種加工方法,該加工方法對板狀的被加工物進行加工,該板狀的被加工物在表面側具有與切斷預定線重疊地形成的包含金屬的層疊體,該加工方法具備下述步驟:保持步驟,利用保持工作臺對被加工物的表面側進行保持;激光加工步驟,在實施該保持步驟后,在被加工物的背面沿著該切斷預定線照射相對于被加工物具有吸收性的波長的激光束,形成未到達該層疊體的激光加工槽;和切削步驟,在實施該激光加工步驟后,利用切削刀具對該激光加工槽的底部進行切削,將被加工物與該層疊體一起沿著該切斷預定線切斷;在該切削步驟中,一邊對被加工物供給包含有機酸和氧化劑的切削液,一邊執行切削。
在上述本發明的一個方式中,可以進一步具備保護部件配設步驟,在實施該切削步驟之前,在被加工物的該表面配設保護部件,在隔著該保護部件對被加工物的該表面側進行保持的狀態下實施該切削步驟。
另外,在上述本發明的一個方式中,優選在該切削步驟中使用厚度比該激光加工槽的寬度薄的該切削刀具。
另外,在上述本發明的一個方式中,可以進一步具備保護部件配設步驟,在實施該激光加工步驟之后且在實施該切削步驟之前,在被加工物的該背面配設保護部件,該切削步驟在隔著該保護部件對被加工物的該背面側進行保持的狀態下實施。
發明效果
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





