[發明專利]加工方法在審
| 申請號: | 201810239578.0 | 申請日: | 2018-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN108695145A | 公開(公告)日: | 2018-10-23 |
| 發明(設計)人: | 竹之內研二 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 龐東成;褚瑤楊 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 被加工物 切斷預定線 層疊體 切削 加工 激光加工步驟 激光加工槽 板狀 氧化劑 金屬 切削刀具 激光束 切削液 吸收性 有機酸 工作臺 波長 背面 照射 | ||
1.一種加工方法,該加工方法對板狀的被加工物進行加工,該板狀的被加工物在表面側具有與切斷預定線重疊地形成的包含金屬的層疊體,該加工方法的特征在于,
該加工方法具備下述步驟:
保持步驟,利用保持工作臺對被加工物的表面側進行保持;
激光加工步驟,在實施該保持步驟后,在被加工物的背面沿著該切斷預定線照射相對于被加工物具有吸收性的波長的激光束,形成未到達該層疊體的激光加工槽;和
切削步驟,在實施該激光加工步驟后,利用切削刀具對該激光加工槽的底部進行切削,將被加工物與該層疊體一起沿著該切斷預定線切斷,
在該切削步驟中,一邊對被加工物供給包含有機酸和氧化劑的切削液,一邊執行切削。
2.如權利要求1所述的加工方法,其特征在于,
該加工方法進一步具備保護部件配設步驟,在實施該切削步驟之前,在被加工物的該表面配設保護部件,
該切削步驟在隔著該保護部件對被加工物的該表面側進行保持的狀態下實施。
3.如權利要求2所述的加工方法,其特征在于,
在該切削步驟中,使用厚度比該激光加工槽的寬度薄的該切削刀具。
4.如權利要求1所述的加工方法,其特征在于,
該加工方法進一步具備保護部件配設步驟,在實施該激光加工步驟之后且在實施該切削步驟之前,在被加工物的該背面配設保護部件,
該切削步驟在隔著該保護部件對被加工物的該背面側進行保持的狀態下實施。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社迪思科,未經株式會社迪思科許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810239578.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種半導體器件的制造方法
- 下一篇:板狀被加工物的加工方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





