[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810239119.2
• 申請(qǐng)日: 2018-03-22
• 公開（公告）號(hào): CN108987357A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宇佐美達(dá)矢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/522;H01L21/60
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 高培培;戚傳江

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，其提高具有再配線的半導(dǎo)體裝置的可靠性或性能。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制造方法包含形成于多層配線層中的最上層的配線層的第1焊盤電極(PD1)、形成于第1焊盤電極(PD1)上的第1絕緣膜(IF1)及形成于第1絕緣膜(IF1)上的第1有機(jī)絕緣膜(PIQ1)。另外，半導(dǎo)體裝置及其制造方法包含形成于第1有機(jī)絕緣膜(PIQ1)上且與第1焊盤電極(PD1)連接的阻擋金屬膜(BM3)及形成于阻擋金屬膜(BM3)上的導(dǎo)電膜(MF1)。在第1有機(jī)絕緣膜(PIQ1)的上表面，在第1阻擋金屬膜(BM3)與第1有機(jī)絕緣膜(PIQ1)之間，形成有由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第2絕緣膜(IF2)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，例如，能夠在具有再配線的半導(dǎo)體裝置及其制造方法中利用。

背景技術(shù)

近年來(lái)，由于半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作的高速化和小型化等的要求，使用形成于作為半導(dǎo)體基板上的多層配線層的最上層配線的一部分的第1焊盤電極上的、被稱為再配線的配線。關(guān)于再配線，為了降低其配線電阻，主要使用例如通過(guò)鍍敷法形成的厚的銅膜來(lái)構(gòu)成。再配線的上表面的一部分為用于與由凸塊電極或鍵合線等構(gòu)成的外部連接用的端子連接的區(qū)域，構(gòu)成第2焊盤電極。并且，第2焊盤電極與印刷電路基板等電連接。

例如，在專利文獻(xiàn)1(日本特開2009-194144號(hào)公報(bào))中記載有在多層配線層上形成再配線的技術(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2009-194144號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的課題

在使用再配線的半導(dǎo)體裝置中，為了保護(hù)構(gòu)成電路的配線不受水分等的影響，形成聚酰亞胺等的有機(jī)絕緣膜。另外，再配線由主要以銅為主體的導(dǎo)電膜和形成于該導(dǎo)電膜與有機(jī)絕緣膜之間的阻擋金屬膜構(gòu)成。但是，在相鄰的再配線之間的區(qū)域中，有時(shí)在制造工序中阻擋金屬膜沒有被完全去除而殘留在有機(jī)絕緣膜上。其結(jié)果是，通過(guò)本發(fā)明人的研究可知，會(huì)產(chǎn)生相鄰的再配線間的漏電，或者產(chǎn)生相鄰的再配線間的HAST試驗(yàn)(HighlyAccelerated Temperature and Humidity Stress Test：高速加溫和加濕的應(yīng)力試驗(yàn))下的壽命劣化的問題。

另外，會(huì)產(chǎn)生阻擋金屬膜的材料與有機(jī)絕緣膜的材料發(fā)生反應(yīng)，從而在阻擋金屬膜中包含高電阻的導(dǎo)電物的問題，存在再配線整體的電阻增加的問題。

另外，由于再配線周邊的層間絕緣膜構(gòu)造使用聚酰亞胺等的有機(jī)絕緣膜，因此柔軟且再配線的機(jī)械強(qiáng)度弱。因此，例如存在如下問題：由于在再配線上形成鍵合線時(shí)的沖擊、或者將形成于再配線上的凸塊電極安裝到配線基板等時(shí)的沖擊，再配線變形或者在再配線上容易產(chǎn)生裂縫。

其他課題與新的特征將根據(jù)本說(shuō)明書的敘述以及附圖變得明確。

用于解決課題的技術(shù)方案

簡(jiǎn)單說(shuō)明在本申請(qǐng)中公開的實(shí)施方式中的代表性的實(shí)施方式的概要，如下所述。

關(guān)于作為一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，包含形成于多層配線層中的最上層的配線層的第1焊盤電極、形成于第1焊盤電極上的第1絕緣膜以及形成于第1絕緣膜上的第1有機(jī)絕緣膜。另外，關(guān)于半導(dǎo)體裝置及其制造方法，包含形成于第1有機(jī)絕緣膜上且與第1焊盤電極連接的第1阻擋金屬膜以及形成于第1阻擋金屬膜上的第1導(dǎo)電膜。并且，在第1有機(jī)絕緣膜的上表面，在第1阻擋金屬膜與第1有機(jī)絕緣膜之間，形成有由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第2絕緣膜。

發(fā)明效果

根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，能夠提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。另外，能夠使半導(dǎo)體裝置的性能提高。

附圖說(shuō)明

圖1是作為實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。