[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201810239119.2
• 申請日: 2018-03-22
• 公開（公告）號: CN108987357A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發明（設計）人: 宇佐美達矢
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/522;H01L21/60
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 高培培;戚傳江

1.一種半導體裝置，具有：

多層配線層，形成于半導體基板上；

第1焊盤電極，形成于所述多層配線層中的最上層的配線層；

第1絕緣膜，形成為覆蓋所述第1焊盤電極，并且由無機材料構成；

第1有機絕緣膜，形成于所述第1絕緣膜上；

第1開口部，設置在所述第1有機絕緣膜中和所述第1絕緣膜中，并且形成為到達所述第1焊盤電極；

第1阻擋金屬膜，形成于所述第1有機絕緣膜上，并且經由所述第1開口部與所述第1焊盤電極連接；以及

第1導電膜，形成于所述第1阻擋金屬膜上，

在所述第1有機絕緣膜的上表面，在所述第1阻擋金屬膜與所述第1有機絕緣膜之間，形成有由無機材料構成的第2絕緣膜。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

在所述第1開口部內的所述第1有機絕緣膜的側面，在所述第1阻擋金屬膜與所述第1有機絕緣膜之間，形成有所述第2絕緣膜。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第1焊盤電極包含第2導電膜以及形成于所述第2導電膜上的第2阻擋金屬膜，

在所述第1開口部的底面，去除所述第2阻擋金屬膜而所述第1阻擋金屬膜與所述第2導電膜直接接觸。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

形成有多個具有所述第1阻擋金屬膜和所述第1導電膜的再配線，

在相鄰的所述再配線間的所述第1有機絕緣膜的上表面，未形成所述第1有機絕緣膜與所述第1阻擋金屬膜的反應生成物。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，

以覆蓋所述多個再配線的方式，在所述第1有機絕緣膜上形成有第2有機絕緣膜，

在相鄰的所述再配線間的區域中，去除所述第2絕緣膜而所述第1有機絕緣膜與所述第2有機絕緣膜直接接觸。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第1有機絕緣膜由聚酰亞胺構成，

所述第1阻擋金屬膜由包含鈦、鉭或鉻的材料構成，

所述第1導電膜由以銅為主成分的材料構成，

所述第2絕緣膜由包含氧化硅或氮化硅的材料構成。

7.一種半導體裝置的制造方法，具有：

a工序，準備半導體基板、形成于所述半導體基板上的多層配線層、形成于所述多層配線層中的最上層的配線層的第1焊盤電極以及形成為覆蓋所述第1焊盤電極且由無機材料構成的第1絕緣膜；

b工序，在所述第1絕緣膜上形成第1有機絕緣膜；

c工序，在所述第1有機絕緣膜上形成由無機材料構成的第2絕緣膜；

d工序，在所述第2絕緣膜上形成第1抗蝕圖案；

e工序，通過將所述第1抗蝕圖案作為掩膜進行蝕刻處理，來選擇性地去除位于所述第1焊盤電極上的所述第2絕緣膜；

f工序，在所述e工序之后，去除所述第1抗蝕圖案和位于所述第1焊盤電極上的所述第1有機絕緣膜；

g工序，在所述f工序之后，通過在殘留有所述第2絕緣膜的狀態下進行蝕刻處理，來選擇性地去除位于所述第1焊盤電極上的所述第1絕緣膜，形成到達所述第1焊盤電極的第1開口部；

h工序，在所述第2絕緣膜上和所述第1開口部內，形成與所述第1焊盤電極連接的第1阻擋金屬膜；

i工序，在所述第1阻擋金屬膜上形成第2抗蝕圖案；以及

j工序，在從所述第2抗蝕圖案露出的區域中，通過鍍敷法在所述第1阻擋金屬膜上形成第1導電膜。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述第2絕緣膜由與所述第1絕緣膜不同的材料構成。