[發明專利]一種制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201810239023.6
• 申請日: 2018-03-22
• 公開（公告）號: CN109742075B
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發明（設計）人: 巫俊昌;鄭智遠;陳思帆;楊舜升;張瑋玲;郭景森;許峰嘉;陳俊璋
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/112;H01L21/31
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供具有第一區域和第二區域的晶圓，其中，所述第一區域中的第一器件的柵極和所述第二區域中的第二器件的柵極之間的交界處由于存在臺階而存在第一形貌變化；

在所述晶圓的所述第一區域和所述第二區域的上方形成第一介電層；

圖案化所述第一介電層以在所述臺階的側壁處形成間隔件，其中，所述間隔件的略圓形的或弧形的表面導致所述第一區域中的所述第一器件的柵極和所述第二區域中的所述第二器件的柵極的交界處之間存在第二形貌變化，并且其中，所述第二形貌變化比第一形貌變化更加平滑；以及

在所述第一區域和所述第二區域上方形成第二介電層，其中，所述第二介電層的至少部分形成在圖案化的所述第一介電層上方。

2.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：將所述第二介電層圖案化為圖案化的掩模層。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第二介電層的圖案化包括光刻膠再加工工藝。

4.根據權利要求3所述的方法，其中：

所述第二介電層的圖案化包括：在所述第二介電層上方形成抗反射材料，以及在所述抗反射材料上方形成光敏材料；以及

所述光刻膠再加工工藝包括應用酸以去除所述抗反射材料。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，使用非共形沉積工藝實施所述第二介電層的形成。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二介電層的形成包括：將所述第二介電層形成為連續的層。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一介電層的圖案化包括間隔件圖案化工藝。

8.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述半導體器件包括存儲器件；

所述第一區域包括非易失性存儲器件；以及

所述第二區域不具有非易失性存儲器件。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一區域比所述第二區域高。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，所述非易失性存儲器件包括浮置柵極以及形成在所述浮置柵極上方的控制柵極。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述第二介電層的圖案化包括：在所述控制柵極的側壁上形成圖案化的所述第二介電層。

12.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供具有第一區域和第二區域的晶圓，其中，所述第一區域包括閃存單元并且所述閃存單元的第一柵極與所述第二區域的器件的第二柵極的交界處形成臺階；

在所述晶圓的所述第一區域上方和所述第二區域上方形成第一層；

圖案化所述第一層以在所述臺階的側壁處形成間隔件組件；

在所述第一區域上方和所述第二區域上方，包括在所述間隔件組件上方形成連續的第二層。

13.根據權利要求12所述的方法，其中：

所述閃存單元包括浮置柵極和形成在所述浮置柵極上方的控制柵極；

在所述控制柵極的側壁上形成所述間隔件組件。

14.根據權利要求12所述的方法，其中，通過非共形沉積工藝實施所述第二層的形成。

15.根據權利要求14所述的方法，進一步包括：

將所述第二層圖案化為掩模層；以及

利用所述掩模層圖案化所述閃存單元。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，所述第二層的圖案化包括：

在所述第二層上方形成抗反射層；以及

使用酸去除所述抗反射層。